[发明专利]一种超低功耗的电源动态比较器电路

权利要求书

1.一种超低功耗的电源动态比较器电路，其特征在于，包括：

前置放大器电路，所述前置放大器电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第一输出节点电容和第二输出节点电容；

交叉耦合器电路，所述交叉耦合器件电路包括第八晶体管和第九晶体管；

其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极连接第一时钟信号，源极连接电源，所述第一晶体管的漏极连接所述第五晶体管的漏极，所述第二晶体管的漏极连接所述第六晶体管的漏极，所述第三晶体管的漏极连接所述第八晶体管的漏极，所述第四晶体管的漏连接所述第九晶体管的漏极；所述第五晶体管的栅极连接第一输入信号，所述第五晶体管的源极连接所述第八晶体管的漏极；所述第六晶体管的栅极连接第二输入信号，所述第六晶体管的源极连接所述第九晶体管的漏极；所述第七晶体管的漏极连接所述第八晶体管和所述第九晶体管的源极，所述第七晶体管的源极接地，所述第七晶体管的栅极连接第一时钟信号；所述第一输出节点电容的一端连接到所述第一晶体管的漏极并且连接到再生锁存器第一端，所述第一输出节点电容的另一端接地；所述第二输出节点电容的一端连接到所述第二晶体管的漏极且连接到再生锁存器第二端，所述第二输出节点电容的另一端接地；所述第八晶体管的栅极连接所述第六晶体管的漏极，所述第九晶体管的栅极连接所述第五晶体管的漏极。

2.如权利要求1所述的超低功耗的电源动态比较器电路，其特征在于，还包括：

再生锁存器电路，所述再生锁存器电路包括第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管、第十四晶体管、第十五晶体管和第十六晶体管，其中，所述第十二晶体管和所述第十三晶体管的源极连接电源，所述第十二晶体管的栅极连接所述第十四晶体管的栅极，所述第十二晶体管的漏极连接所述第十晶体管的源极；所述第十三晶体管的栅极连接所述第十五晶体管的栅极，所述第十三晶体管的漏极连接所述第十一晶体管的源极；所述第十晶体管的栅极连接所述第一输出节点电容，所述第十晶体管的源极连接所述第十二晶体管的漏极，所述第十晶体管的漏极和所述第十四晶体管的漏极、所述第十六晶体管的漏极以及所述第十三晶体管的栅极和所述第十五晶体管的栅极互连；所述第十一晶体管的栅极连接所述第二输出节点的电容，所述第十一晶体管的源极连接所述第十三晶体管的漏极，所述第十一晶体管的漏极连接所述第十五晶体管的漏极、第十七晶体管的漏极以及所述第十二晶体管和所述第十四晶体管的栅极；所述第十六晶体管的栅极连接第二时钟信号，所述第十六晶体管的漏极连接所述第十晶体管和所述第十四晶体管的漏极以及所述第十三和所述第十五晶体管的栅极，所述第十六晶体管的源极连接所述第十四晶体管、所述第十五晶体管、所述第十七晶体管的源极；所述第十四晶体管的漏极连接所述第十晶体管和所述第十六晶体管的漏极、第十三晶体管和第十五晶体管的栅极，所述第十四晶体管的栅极连接第十二晶体管的栅极、所述第十一晶体管和所述第十七晶体管的漏极，所述第十四晶体管的源极连接所述第十六晶体管、所述第十五晶体管所述第十七晶体管的源极；所述第十五晶体管的漏极连接所述第十一晶体管和所述第十七晶体管的漏极、所述第十二晶体管和所述第十四晶体管的栅极，所述第十五晶体管的栅极连接所述第十三晶体管的栅极、所述第十晶体管的漏极、所述第十四晶体管的漏极和所述第十六晶体管的漏极，所述第十五晶体管的源极连接所述第十四晶体管、所述第十六晶体管和所述第十七晶体管的源极；所述第十七晶体管的栅极连接第二时钟信号，所述第十七晶体管的漏极连接所述第十一晶体管和所述第十五晶体管的漏极、所述第十二和所述第十四晶体管的栅极，所述第十七晶体管的源极连接所述第十四晶体管、所述第十五晶体管和所述第十六晶体管的源极。

3.如权利要求2所述的超低功耗的电源动态比较器电路，其特征在于，

所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第十晶体管、所述第十一晶体管、所述第十二晶体管和所述第十三晶体管是第一类型晶体管；所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述第七晶体管、所述第八晶体管、所述第九晶体管、所述第十四晶体管、所述第十五晶体管、所述第十六晶体管和所述第十七晶体管是另一类型晶体管。

4.如权利要求3所述的超低功耗的电源动态比较器电路，其特征在于，

所述第一类型晶体管是所述另一类型晶体管的互补型晶体管。