[发明专利]一种叠片电芯的探测方法、装置、电子设备和存储介质

权利要求书

1.一种叠片电芯的探测方法，其特征在于，包括：

标记待测叠片电芯的第一角位和第二角位，其中，所述第一角位与所述第二角位为对角角位，所述待测叠片电芯包括同中心轴依次层叠设置的多个待测模块，一个所述待测模块包括一个第一电极片和一个第二电极片；

利用探测光线依次照射每个所述待测模块，计算每个所述待测模块的极片旋转错位角度θ；其中，对于任意一个所述待测模块，利用探测光线照射所述待测模块，计算所述待测模块的极片旋转错位角度，包括：

利用所述探测光线照射所述待测模块的第一角位和第二角位，其中，所述探测光线的传播方向与所述待测模块所在的平面平行，所述探测光线与所述第一电极片长边的夹角为α；

根据照射的衬度边界识别得到在所述第一角位处第一电极片包覆所述第二电极片的投影长度S₁，以及在所述第二角位处第一电极片包覆所述第二电极片的投影长度S₂；

根据S₁、S₂、α、所述第一电极片的对角线与长边的夹角β、所述第一电极片的对角线长度D₁、所述第二电极片的对角线长度D₂，计算所述待测模块的极片旋转错位角度θ；

根据每个所述待测模块的极片旋转错位角度θ，判断所述待测叠片电芯是否合格。

2.根据权利要求1所述的叠片电芯的探测方法，其特征在于，所述根据每个所述待测模块的极片旋转错位角度，判断所述待测叠片电芯是否合格，包括：

判断每个所述待测模块的极片旋转错位角度是否均小于预设门限；

若每个所述待测模块的极片旋转错位角度均小于所述预设门限，则判定所述待测叠片电芯合格；

若任意一个所述待测模块的极片旋转错位角度大于等于所述预设门限，则判定所述待测叠片电芯不合格。

3.根据权利要求1所述的叠片电芯的探测方法，其特征在于，所述待测模块的极片旋转错位角度θ利用如下公式计算：

4.根据权利要求1所述的叠片电芯的探测方法，其特征在于，α的取值范围为0-90°。

5.根据权利要求1所述的叠片电芯的探测方法，其特征在于，所述探测光线为X射线。

6.根据权利要求1所述的叠片电芯的探测方法，其特征在于，

所述第一电极片为负极片，所述第二电极片为正极片；或者，

所述第一电极片为正极片，所述第二电极片为负极片。

7.一种叠片电芯的探测装置，执行如权利要求1-6中任一项所述的叠片电芯的探测方法，其特征在于，包括：

标记模块，所述标记模块用于标记待测叠片电芯的第一角位和第二角位，其中，所述第一角位与所述第二角位为对角角位，所述待测叠片电芯包括同中心轴依次层叠设置的多个待测模块，一个所述待测模块包括一个第一电极片和一个第二电极片，所述第二电极片设置在所述第一电极片的上方；

光线产生模块，所述光线产生模块用于利用探测光线依次照射每个所述待测模块；

计算模块，所述计算模块用于计算每个所述待测模块的极片旋转错位角度；

判断模块，所述判断模块用于根据每个所述待测模块的极片旋转错位角度，判断所述待测叠片电芯是否合格。

8.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：

一个或多个处理器；

存储装置，用于存储一个或多个程序，

当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现如权利要求1-6中任一项所述的叠片电芯的探测方法。

9.一种计算机可读存储介质，其中存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的叠片电芯的探测方法。