[发明专利]一种具有类超晶格结构的选通管及其制备方法

权利要求书

1.一种具有类超晶格结构的选通管，其特征在于，所述选通管包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的第一金属电极层、类超晶格层以及第二金属电极层，所述类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，所述第一子层的材料为非晶碳，所述第二子层的材料为具有选通性能的硫系化合物。

2.根据权利要求1所述的选通管，其特征在于，所述第一子层的厚度为5～30nm。

3.根据权利要求1所述的选通管，其特征在于，所述第二子层的厚度为5～20nm。

4.根据权利要求1所述的选通管，其特征在于，所述第一子层和所述第二子层的交替层叠周期次数n为5～20。

5.根据权利要求1-4任一项所述的选通管，其特征在于，所述第一金属电极层和第二金属电极层均为惰性电极，所述惰性电极的材料包括：Pt、Ti、W、Au、Ru、Al、TiW、TiN、TaN、IrO₂、ITO以及IZO中的至少一种，或Pt、Ti、W、Au、Ru、Al、TiW、TiN、TaN、IrO₂、ITO以及IZO中的任意两种或多种组合成的合金材料。

6.一种具有类超晶格结构的选通管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上制备第一金属电极层；

在所述第一金属电极层上制备类超晶格层，所述类超晶格层包括周期性交替层叠的n+1个第一子层和n个第二子层，所述第一子层的材料为非晶碳，所述第二子层的材料为具有选通性能的硫系化合物；

在所述类超晶格层上制备第二金属电极层。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述第一金属电极层上制备类超晶格层，包括：

在所述第一金属电极层上依次沉积所述第一子层和所述第二子层，直到完成交替层叠周期次数n。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述沉积包括采用物理气相沉积、化学气相沉积、分子束外延、原子层沉积或金属有机物沉积。

9.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的厚度为5～30nm。

10.根据权利要求6-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二子层的厚度为5～20nm。