[发明专利]一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液

权利要求书

1.一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，该抛光液由以下重量百分比的组分组成：

复合磨料25-50wt％；

强氧化剂0.1～5.0wt％；

分散稳定剂0.1～5.0wt％；

润湿剂0.1～5.0wt％；

表面活性剂0.05～1.0wt％；

PH调节剂0.01～1.0wt％；

PH稳定剂0.01～1.0wt％；

其余为去离子水。

2.根据权利要求1所述的一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，所述复合磨料为胶体氧化硅和聚苯乙烯粒子的混合物，复合磨料粒径为60-120nm，聚苯乙烯粒子的单体分子量为2500-15000，且聚苯乙烯粒子在复合磨料中的重量占比为5-20％。

3.根据权利要求1所述的一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，所述分散稳定剂选用脂肪醇聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚氧乙烯基醇酰胺中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，所述润湿剂选用脂肪酸盐、磺酸盐、硫酸酯盐、甲醇、乙醇及异丙醇中的任意一种或两种。

5.根据权利要求1所述的一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，所述表面活性剂选用β-羟基乙二胺、烷基磺酸铵中的一种或两种。

6.根据权利要求1所述的一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，所述强氧化剂为双氧水、过硫酸钾或两者的混合物。

7.根据权利要求1所述的一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，所述PH调节剂选用有机胺。

8.根据权利要求1所述的一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液，其特征在于，所述PH稳定剂选用硼砂。

9.根据权利要求1-8任一所述一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)按照比例将复合磨料、强氧化剂、分散稳定剂、润湿剂和表面活性剂溶于去离子水中搅拌至完全溶解，温度控制在15摄氏度-35摄氏度之间，搅拌速度不超过800转/min；

2)添加PH调节剂，调节溶液PH值至10-11；

3)添加PH稳定剂，稳定保持溶液PH值。

10.根据权利要求1-8任一所述一种用于半导体碳化硅芯片的化学机械抛光液的化学机械抛光应用，其特征在于，该化学机械抛光液用于对硅片进行选择性抛光，抛光后表面的粗糙度降至0.6nm以下，抛光速率为150～180nm/min。