[发明专利]膜形成方法和膜形成装置在审
| 申请号： | 202011476465.6 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113053725A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 竹泽由裕;铃木大介;林宽之;本山丰 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 装置 | ||
本发明涉及膜形成方法和膜形成装置。[课题]提供可以形成大粒径的多晶硅膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法具备如下工序：在基底上形成依次层叠有界面层、主体层和表面层的层叠膜的工序；和，对前述层叠膜进行结晶处理的工序，前述主体层在前述进行结晶处理的工序中由比前述界面层还容易结晶的膜形成，前述表面层在前述进行结晶处理的工序中由比前述主体层还容易结晶的膜形成。
技术领域
本公开涉及膜形成方法和膜形成装置。
背景技术
作为三维NAND结构的通道，有时使用有多晶硅膜。专利文献1中公开了一种形成多晶硅膜的方法，其在晶体生长慢的第1非晶硅膜上层叠晶体生长快于第1非晶硅膜的第2非晶硅膜后进行结晶处理，从而形成多晶硅膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-115435号公报
发明内容
本公开提供：可以形成大粒径的多晶硅膜的技术。
本公开的一方式的膜形成方法具备如下工序：在基底上形成依次层叠有界面层、主体层和表面层的层叠膜的工序；和，对前述层叠膜进行结晶处理的工序，前述主体层在前述进行结晶处理的工序中由比前述界面层还容易结晶的膜形成，前述表面层在前述进行结晶处理的工序中由比前述主体层还容易结晶的膜形成。
根据本公开，可以形成大粒径的多晶硅膜。
附图说明
图1为示出一实施方式的膜形成方法的流程图。
图2为示出图1的膜形成方法中的形成层叠膜的工序的一例的流程图。
图3为示出图1的膜形成方法中的形成层叠膜的工序的一例的工序剖视图。
图4为用于说明一实施方式的膜形成方法的作用效果的图。
图5为示出立式热处理装置的构成例的纵剖视图。
图6为用于说明图5的立式热处理装置的反应管的图。
图7为示出基于XRD的评价结果的一例的图。
图8为示出基于SIMS的评价结果的一例的图。
图9为示出基于光谱椭偏仪的评价结果的一例的图。
图10为示出基于光谱椭偏仪的评价结果的另一例的图。
图11为示出基于TEM的评价结果的一例的图。
110 基底
120 层叠膜
121 界面层
122 主体层
123 表面层
具体实施方式
以下，边参照所附的附图边对本公开的非限定性的示例的实施方式进行说明。所附的全部附图中，对于相同或对应的构件或部件，标注相同或对应的附图标记，省略重复的说明。
〔膜形成方法〕
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
