[发明专利]一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法有效
申请号: | 202011477340.5 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112457047B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 曹俊倡;朱保鑫;盖莹;杨显锋;韦其红;邢政鹏;王洪升;栾强;姜立平;崔唐茵;胡春玲;陈东杰;唐建新 | 申请(专利权)人: | 山东工业陶瓷研究设计院有限公司 |
主分类号: | C04B38/06 | 分类号: | C04B38/06;C04B35/14;C04B35/622;C04B35/632;C04B35/634 |
代理公司: | 北京志霖恒远知识产权代理有限公司 11435 | 代理人: | 赵奕 |
地址: | 255000 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低介电低 密度 石英 陶瓷材料 制备 方法 | ||
1.一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述方法的实现步骤包括:
(1)石英料浆的制备
采用石英粉为主要原料,加入纯净水、乳酸、聚乙二醇、丙烯酰胺单体和亚甲基双丙烯酰胺,混匀后进行静置陈腐,
陈腐完成再次混匀后加入PMMA有机物;
进一步混匀后得到注凝用石英料浆;
(2)注凝成型
将混合好的石英料浆进行搅拌抽真空除气泡处理,处理完毕后加入过硫酸铵,进行模具注浆,然后加热固化成型;
(3)坯体的干燥与排胶烧结
固化成型后的坯体脱除模具后经过保湿干燥,烘干,烘干后将坯体进行排胶烧结,即得到制品;
其中,所述石英粉为熔融石英粉,为5μm~20μm和50μm~200μm的混合,所述石英粉加入量分别为:5μm~20μm熔融石英粉10份~40份,50μm~200μm熔融石英粉45份~75份;
所述低介电低密度石英陶瓷材料的介电系数为2.0~2.8、强度为20MPa以上、密度为1.0g/cm3~1.7 g/cm3。
2.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述石英粉的加入量为80份~85份,纯净水加入量为15份~20份,乳酸的加入量为石英粉与纯净水总重量的0.05%~0.3%,聚乙二醇加入量为石英粉与纯净水总重量的0.1%~2%,丙烯酰胺单体加入量为石英粉与纯净水总重量的0.3%~5%,亚甲基双丙烯酰胺加入量为石英粉与纯净水总重量的0.05%~1.2%;PMMA有机物加入量为石英粉与纯净水总重量的0.5%~6.5%;所述过硫酸铵,加入量为每公斤料浆加入0.01g~0.2g。
3.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的静置陈腐时间为24h~48h,
陈腐完成后再次混匀时间为5h~10h;
加入PMMA有机物后进一步混匀时间为2h~6h;
进一步混匀后料浆涂-4杯流空时间不大于4 min。
4.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中在-0.05~0.095MPa下进行抽真空,抽真空时间不小于30 min。
5.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中加热固化成型的温度为50℃~90℃,固化时间30min~120min。
6.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中所述的保湿干燥条件为室温20±5℃,湿度大于70%,干燥时间为48h~96h。
7.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中低温烘干温度为110℃~150℃,烘干时间为24h~48h。
8.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中的排胶烧结温度为:排胶温度为200℃~840℃,保温时间30h~60h。
9.根据权利要求1所述的一种低介电低密度石英质陶瓷材料制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中的烧结温度为1000℃~1200℃烧结时间为120min~360min。
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