[发明专利]发光器件

说明书

提供了一种包括含有第11族金属硫属元素化合物的空穴传输区的发光器件。所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，位于第一电极与第二电极之间并且包括发射层，其中，中间层还包括：i)空穴传输区，位于第一电极与发射层之间；以及ii)电子传输区，位于发射层与第二电极之间，空穴传输区包括第11族金属硫属元素化合物，所述第11族金属硫属元素化合物包括第11族金属和硫属元素，附加条件是从硫属元素中排除氧。

本申请要求于2020年1月31日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0012193号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

一个或更多个实施例涉及其中空穴传输区包括第11族金属硫属元素化合物的发光器件。

背景技术

发光器件是自发射器件，其与本领域的其他器件相比，具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。

在发光器件中，第一电极在基底上，空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极顺序地形成在第一电极上。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动，从第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生光。

发明内容

一个或更多个实施例包括具有比本领域的使用其他化合物的发光器件的效率特性好的效率特性的发光器件。

实施例的另外的方面将在下面的描述中部分地进行阐述，并且部分地通过描述将是清楚的，或者可以通过公开的给出的实施例的实践而被获知。

根据一个或更多个实施例，发光器件包括第一电极、面对第一电极的第二电极以及位于第一电极与第二电极之间并包括发射层的中间层，其中，中间层还包括：空穴传输区，位于第一电极与发射层之间；以及电子传输区，位于发射层与第二电极之间，其中，空穴传输区包括第11族金属硫属元素化合物。然而，从第11族金属硫属元素化合物的硫属元素中排除了氧。

根据一个或更多个实施例，电子设备包括：薄膜晶体管和所述发光器件，其中，薄膜晶体管包括源电极、漏电极、有源层和栅电极，并且所述发光器件的第一电极电结合到薄膜晶体管的源电极和漏电极中的一个。

附图说明

通过下面结合附图进行的描述，公开的一些实施例的以上和其他方面和特征将更加清楚，在附图中：

图1是根据实施例的发光器件的示意图；

图2是示出当在空穴注入层(HIL)中使用现有技术的化合物时电流-电压曲线的模拟结果的视图；以及

图3是示出当在空穴注入层(HIL)中使用根据实施例的第11族金属硫属元素化合物时电流-电压曲线的模拟结果的视图。

具体实施方式

现在将更详细地参考实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为局限于在这里阐述的描述。因此，以下仅通过参照图来描述实施例，以解释本说明书的实施例的方面。如在这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和全部组合。在整个公开中，表述“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者它们的变型。

在本公开的领域中，硫氰酸亚铜在其前驱物的状态下直接以膜的形式被掺杂在ITO电极上，并随后进行热处理。因此，在这种情况下，Cu⁺可以以薄膜的形式存在。

另一方面，在铜离子的情况下，因为Cu²⁺比Cu⁺稳定得多，所以组成会在形成之后立即改变，使得Cu⁺转化为Cu²⁺。