[发明专利]膜形成方法和系统在审
| 申请号： | 202011477873.3 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN113053726A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 户根川大和;金珍锡 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/31;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 方法 系统 | ||
本发明涉及膜形成方法和系统。[课题]提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。[解决方案]本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。
技术领域
本公开涉及膜形成方法和系统。
背景技术
公开了如下技术：通过在原子层沉积(ALD：AtoMic Layer Deposition)循环中导入氢等离子体，从而在低温下形成高应力的硅氮化膜(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-278497号公报
发明内容
本公开提供可以形成低杂质浓度的薄膜的技术。
本公开的一方式的膜形成方法通过执行包括如下工序的多次循环而形成薄膜：向基板供给原料气体的工序；向前述基板供给与前述原料气体反应的反应气体的工序；和，将前述基板用重氢等离子体进行处理的工序。
根据本公开，可以形成低杂质浓度的薄膜。
附图说明
图1为示出第1实施方式的膜形成方法的流程图。
图2为示出第2实施方式的膜形成方法的流程图。
图3为示出第3实施方式的膜形成方法的流程图。
图4为示出第4实施方式的膜形成方法的流程图。
图5为示出H的离去的活化能的算出结果的图。
图6为示出Cl的离去的活化能的算出结果的图。
图7为示出将氮化硅膜曝露于D2等离子体和/或H2等离子体时的表面反应的一例的图。
图8为示出能实施第1实施方式～第4实施方式的膜形成方法的膜形成装置的一例的剖视图。
图9为用于说明图8的膜形成装置的处理容器的图。
图10为示出基于模拟的H2等离子体和D2等离子体中所含的各颗粒的摩尔分率的算出结果的图。
图11为示出D/H的气体温度依赖性的模拟结果的图。
图12为示出D/H的压力依赖性的模拟结果的图。
图13为示出D/H的气体流量依赖性的模拟结果的图。
60控制部
100立式热处理装置
W晶圆
具体实施方式
以下，边参照所附的附图边对本公开的非限定性的示例的实施方式进行说明。所附的全部附图中，对相同或对应的构件或部件，标注相同或对应的附图标记，省略重复的说明。
〔膜形成方法〕
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
