[发明专利]抗辐射的静态随机存储器单元以及存储器在审
| 申请号： | 202011477953.9 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112562756A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 陈静;吕迎欢;葛浩;谢甜甜;王青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/24 | 分类号： | G11C7/24;G11C5/06;G11C11/411 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 辐射 静态 随机 存储器 单元 以及 | ||
【权利要求书】：
1.一种抗辐射的静态随机存储器单元，包括电学串联的第一传输晶体管和第二传输晶体管，以及并联在第一和第二传输晶体管之间的两个对置互锁的第一和第二反相器，其特征在于，所述第一和第二反相器的上拉晶体管分别通过第一和第二延时晶体管与反相器的输入端连接，所述延时晶体管为N型晶体管，其栅极电学连接所述静态随机存储器的字线电平。
2.根据权利要求1所述的抗辐射的静态随机存储器单元，其特征在于，所述第一传输晶体管和第二传输晶体管、第一和第二反相器所采用的晶体管、以及第一和第二延时晶体管均为全耗尽SOI结构的晶体管。
3.根据权利要求2所述的抗辐射的静态随机存储器单元，其特征在于，所述全耗尽SOI结构的晶体管均设置背栅，所述背栅设置为与栅极等电位连接。
4.一种抗辐射的静态随机存储器，包括权利要求1-3中任一所述的静态随机存储器单元。
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