[发明专利]具有抑制生物物质附着的能力的离子络合材料及其制造方法

权利要求书

1.涂覆膜，其是通过包括以下工序的方法得到的：

将涂覆膜形成用组合物涂布于基体的工序，以及

于－200℃～200℃的温度进行干燥的工序，

所述涂覆膜形成用组合物包含下述共聚物和溶剂，所述共聚物包含：

包含下述式(a)表示的有机基团的重复单元和包含下述式(b)表示的有机基团的重复单元，

式中，

U^a1、U^a2、U^b1、U^b2及U^b3各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～5的直链或支链烷基，An^－表示选自卤化物离子、无机酸根离子、氢氧化物离子及异硫氰酸根离子中的阴离子。

2.如权利要求1所述的涂覆膜，其中，溶剂包含水或醇。

3.如权利要求1或2所述的涂覆膜，其中，涂覆膜形成用组合物中的共聚物的浓度为0.01质量％～4质量％。

4.如权利要求1～3中任一项所述的涂覆膜，其中，基体选自玻璃、含金属化合物、含半金属化合物及树脂。

5.如权利要求1～4中任一项所述的涂覆膜，其具有抑制生物物质附着的能力。

6.如权利要求1～5中任一项所述的涂覆膜，其中，共聚物包含下述式(a1)及式(b1)的重复单元：

式中，

T^a、T^b、U^a1、U^a2、U^b1、U^b2及U^b3各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～5的直链或支链烷基，Q^a及Q^b各自独立地表示单键、酯键或酰胺键，R^a及R^b各自独立地表示可被卤原子取代的碳原子数1～10的直链或支链亚烷基，An^－表示选自卤化物离子、无机酸根离子、氢氧化物离子及异硫氰酸根离子中的阴离子，m表示0～6的整数。

7.如权利要求1～6中任一项所述的涂覆膜，其中，m为1，R^a及R^b各自独立地表示亚乙基或亚丙基。

8.如权利要求1～7中任一项所述的涂覆膜，其中，包括预先对涂覆膜形成用组合物进行pH调节的工序。

9.如权利要求1～8中任一项所述的涂覆膜，其中，包括进一步用选自水和含有电解质的水溶液中的至少1种溶剂对在干燥工序后得到的膜进行洗涤的工序。

10.涂覆膜的制造方法，其包括以下工序：

将涂覆膜形成用组合物涂布于基体的工序，以及

于－200℃～200℃的温度进行干燥的工序，

所述涂覆膜形成用组合物包含下述共聚物和溶剂，所述共聚物包含：

包含下述式(a)表示的有机基团的重复单元和包含下述式(b)表示的有机基团的重复单元，

式中，

U^a1、U^a2、U^b1、U^b2及U^b3各自独立地表示氢原子、或碳原子数1～5的直链或支链烷基，An^－表示选自卤化物离子、无机酸根离子、氢氧化物离子及异硫氰酸根离子中的阴离子。