[发明专利]一种3D立体堆叠存储器的激光单粒子效应测试方法

权利要求书

1.一种3D立体堆叠存储器的激光单粒子效应测试方法，其特征在于，包括：将写入数据的待测试存储器置于实验室模拟源辐照条件下，进行单粒子辐照试验；

利用不同能量的脉冲激光入射穿透被测存储器的敏感深度与脉冲激光光斑直径，确定诱发产生的电荷量，并与初始数据进行对比，判断错误单元位置及错误类型单粒子是否翻转以及翻转位置；

激光调节方式为：

(1)被测存储器聚焦，确保被测存储器在脉冲激光的视场内，并确定脉冲激光的脉宽f和光斑直径d；

(2)选择合适的脉冲激光初始能量，设定脉冲激光的移动步长，对整个被测存储器进行单粒子效应敏感区域的粗扫描，以确定单粒子效应敏感区域Q；

(3)确定敏感区域Q后，将脉冲激光入射位置定位在该区域内，设定脉冲激光入射能量，激光入射被测存储器，在存储器内部传播的距离称为敏感深度Z，则可得到被测存储器内部收集电荷与敏感深度之间的关系；

依次以0.1nJ步长增大脉冲激光的入射能量，分别获得不同能量下被测存储器收集电荷与敏感深度的曲线关系；

根据不同能量下被测存储器收集电荷与敏感深度的曲线关系，得到脉冲激光不同能量下收集电荷的峰值对应的敏感深度Z_RPP，即为被测存储器敏感体积长度；根据单粒子效应分析的RPP模型，得到被测存储器的敏感体积V＝d²·Z_RPP。

2.根据权利要求1所述的3D立体堆叠存储器的激光单粒子效应测试方法，其特征在于，测试方法包括静态模式和动态读模式。

3.根据权利要求2所述的3D立体堆叠存储器的激光单粒子效应测试方法，其特征在于，静态模式下的测试方法为：

(1)系统加电，将初始数据写入存储器；

(2)测试系统加电，准备辐照；

(3)辐照前利用脉冲激光确定存储单元阵列的敏感位置，首次定位在存储单元阵列的表面；

(4)辐照完毕后对数据进行对比，并记录错误位置及个数；若错误数为零，利用脉冲激光的Z扫描进行敏感位置的纵向定位，继续下次辐照试验；若错误数不为零，重写存储单元数据，再进行下次辐照试验。

4.根据权利要求2所述的3D立体堆叠存储器的激光单粒子效应测试方法，其特征在于，动态读模式下的测试方法为：

(1)辐照前将初始数据写入存储器；

(2)辐照前利用脉冲激光确定存储单元阵列的敏感位置，首次定位在存储单元阵列的表面；

(3)在辐照过程中进行数据对比，监测其数据相对于初始数据是否发生变化；若数据发生变化，且错误数小于某一确定值N，则确定该数据单元已经发生翻转，记录翻转信息，并利用脉冲激光的Z扫描进行敏感位置的纵向定位，继续下次辐照测试。

5.根据权利要求1所述的3D立体堆叠存储器的激光单粒子效应测试方法，其特征在于，采用下位机和上位机进行测试；下位机根据上位机写入存储器中的数据，对存储器测试过程数据是否翻转进行检查，对错误单元信息进行统计；上位机根据下位机传来的信息进行单粒子效应的判断，控制存储器的断电和上电。