[发明专利]一种互连结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011479339.6 申请日: 2020-12-15
公开(公告)号: CN112582341A 公开(公告)日: 2021-03-30
发明(设计)人: 武青青;刘轶群;朱建军 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人: 吴世华;陈慧弘
地址: 201210 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 互连 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种互连结构,其特征在于,包括:

一含有互连线层结构的衬底;其中,所述互连线层结构中互连线材料包括金属钴;

一层叠层,用于形成通孔层;所述层叠层从下到上依次包括刻蚀阻挡层、介质层、材料层和介质层;所述材料层包括一层或以上,每一所述材料层均由所述介质层间隔,所述通孔层中的通孔贯穿所述层叠层,所述通孔层中的通孔填满金属材料,且在每一个所述通孔侧壁的材料层处横向形成1个锯齿结构。

2.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述材料层与所述介质层包括具有不同刻蚀选择性的材料。

3.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述材料层的材料包括非晶硅a-silicon、多晶硅poly-silicon、氮化硅Si3N4、氧化铝Al2O3、氧化钛TiO2或氮化铝AlN。

4.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述介质层包括氧化物、掺杂SiO2、BDI、BDII、SiCOH或者含有SiCO元素的氧化硅。

5.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,在所述通孔填满的主体金属材料包括钨、钌或钴。

6.根据权利要求1所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述互连线层结构为互连线层结构M0;所述通孔层为通孔层V0。

7.一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1:提供一含有互连线层结构的衬底,在衬底上沉积形成层叠层,所述层叠层从下到上依次包括刻蚀阻挡层、介质层、材料层和介质层;所述材料层为N层,如果所述材料层包括多层,每一材料层均由所述介质层间隔,所述材料层为与所述介质层具有不同刻蚀选择性的材料;其中,N为正整数;

步骤S2:在所述层叠层中形成图形化后的通孔层,并且在形成所述通孔层的通孔过程中或者形成所述通孔之后,通过干法刻蚀或者湿法药液浸润,在通孔侧壁的材料层处横向刻蚀,以形成N个锯齿状结构;

步骤S3:在所述通孔层的通孔和锯齿结构中同步生长金属材料,所述金属材料填满所述通孔层的通孔;其中,所述通孔层中的通孔贯穿所述层叠层,至少一个所述通孔与所述互连线层结构相接触;

步骤S4:沉积金属层,以在所述通孔层形成覆盖层;

步骤S5:对所述覆盖层进行平坦化工艺,以形成平坦化的所述通孔层,其中,所述通孔层最终保留M个锯齿结构,所述M取自0、1、2…N中的一个数。

8.根据权利要求7所述的互连结构的制造方法,其特征在于,在所述通孔填满的主体金属材料包括钨、钌或钴。

9.一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤S1':提供一含有互连线层结构的衬底,在衬底上沉积形成层叠层,所述层叠层从下到上依次包括刻蚀阻挡层、介质层、材料层和介质层;所述材料层为N层,如果所述材料层包括多层,每一材料层均由所述介质层间隔,所述材料层为与所述介质层具有不同刻蚀选择性的材料;其中,N为正整数;

步骤S2':在所述层叠层中形成图形化后的通孔层,沉积金属材料填充所述通孔层通孔的下部;通过干法刻蚀或者湿法药液浸润,在通孔的上部侧壁的材料层处横向刻蚀,以形成N个锯齿状结构;

步骤S3':沉积金属材料填充所述通孔层通孔的上部,以使所述金属材料填满所述通孔层的通孔;其中,所述通孔层中的通孔贯穿所述层叠层,至少一个所述通孔与所述互连线层结构相接触;

步骤S4':沉积金属层,以在所述通孔层形成覆盖层;

步骤S5':对所述覆盖层进行平坦化工艺,以形成平坦化的所述通孔层,其中,所述通孔层最终保留M个锯齿结构,所述M取自0、1、2…N中的一个数。

10.根据权利要求9所述的互连结构的制造方法,其特征在于,在所述通孔填满的主体金属材料包括钨、钌或钴。

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