[发明专利]一种互连结构及其制造方法在审
申请号: | 202011479339.6 | 申请日: | 2020-12-15 |
公开(公告)号: | CN112582341A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 武青青;刘轶群;朱建军 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种互连结构,其特征在于,包括:
一含有互连线层结构的衬底;其中,所述互连线层结构中互连线材料包括金属钴;
一层叠层,用于形成通孔层;所述层叠层从下到上依次包括刻蚀阻挡层、介质层、材料层和介质层;所述材料层包括一层或以上,每一所述材料层均由所述介质层间隔,所述通孔层中的通孔贯穿所述层叠层,所述通孔层中的通孔填满金属材料,且在每一个所述通孔侧壁的材料层处横向形成1个锯齿结构。
2.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述材料层与所述介质层包括具有不同刻蚀选择性的材料。
3.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述材料层的材料包括非晶硅a-silicon、多晶硅poly-silicon、氮化硅Si3N4、氧化铝Al2O3、氧化钛TiO2或氮化铝AlN。
4.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,所述介质层包括氧化物、掺杂SiO2、BDI、BDII、SiCOH或者含有SiCO元素的氧化硅。
5.根据权利要求1所述的互连结构,其特征在于,在所述通孔填满的主体金属材料包括钨、钌或钴。
6.根据权利要求1所述的互连结构的制造方法,其特征在于,所述互连线层结构为互连线层结构M0;所述通孔层为通孔层V0。
7.一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1:提供一含有互连线层结构的衬底,在衬底上沉积形成层叠层,所述层叠层从下到上依次包括刻蚀阻挡层、介质层、材料层和介质层;所述材料层为N层,如果所述材料层包括多层,每一材料层均由所述介质层间隔,所述材料层为与所述介质层具有不同刻蚀选择性的材料;其中,N为正整数;
步骤S2:在所述层叠层中形成图形化后的通孔层,并且在形成所述通孔层的通孔过程中或者形成所述通孔之后,通过干法刻蚀或者湿法药液浸润,在通孔侧壁的材料层处横向刻蚀,以形成N个锯齿状结构;
步骤S3:在所述通孔层的通孔和锯齿结构中同步生长金属材料,所述金属材料填满所述通孔层的通孔;其中,所述通孔层中的通孔贯穿所述层叠层,至少一个所述通孔与所述互连线层结构相接触;
步骤S4:沉积金属层,以在所述通孔层形成覆盖层;
步骤S5:对所述覆盖层进行平坦化工艺,以形成平坦化的所述通孔层,其中,所述通孔层最终保留M个锯齿结构,所述M取自0、1、2…N中的一个数。
8.根据权利要求7所述的互连结构的制造方法,其特征在于,在所述通孔填满的主体金属材料包括钨、钌或钴。
9.一种互连结构的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤S1':提供一含有互连线层结构的衬底,在衬底上沉积形成层叠层,所述层叠层从下到上依次包括刻蚀阻挡层、介质层、材料层和介质层;所述材料层为N层,如果所述材料层包括多层,每一材料层均由所述介质层间隔,所述材料层为与所述介质层具有不同刻蚀选择性的材料;其中,N为正整数;
步骤S2':在所述层叠层中形成图形化后的通孔层,沉积金属材料填充所述通孔层通孔的下部;通过干法刻蚀或者湿法药液浸润,在通孔的上部侧壁的材料层处横向刻蚀,以形成N个锯齿状结构;
步骤S3':沉积金属材料填充所述通孔层通孔的上部,以使所述金属材料填满所述通孔层的通孔;其中,所述通孔层中的通孔贯穿所述层叠层,至少一个所述通孔与所述互连线层结构相接触;
步骤S4':沉积金属层,以在所述通孔层形成覆盖层;
步骤S5':对所述覆盖层进行平坦化工艺,以形成平坦化的所述通孔层,其中,所述通孔层最终保留M个锯齿结构,所述M取自0、1、2…N中的一个数。
10.根据权利要求9所述的互连结构的制造方法,其特征在于,在所述通孔填满的主体金属材料包括钨、钌或钴。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造