[发明专利]具有用于直接芯片安装的毛细管流动结构的半导体裸片

权利要求书

1.一种用于直接芯片安装的半导体装置，其包括：

衬底；

半导体裸片，其具有从前侧延伸的导电支柱，所述半导体裸片通过所述导电支柱电耦合到所述衬底，且所述半导体裸片的所述前侧与所述衬底间隔开某一间隙；及

毛细管流动结构，其具有从所述前侧朝向所述衬底突出的第一及第二细长流动元件，所述第一及第二细长流动元件彼此横向间隔开第一宽度，所述第一宽度经配置以引起底部填充材料沿着所述第一及第二细长流动元件的长度进行毛细管流动，

其中所述第一及第二流动元件的表面、所述衬底及所述半导体裸片的所述前侧形成第一通道，所述底部填充材料从引起的毛细管流动行进通过所述第一通道，所述第一及第二流动元件有效地增加影响所述引起的毛细管流动的毛细管力，以使得在所述半导体裸片和所述衬底之间的间隙中施加在所述半导体裸片的周边处的所述底部填充材料以不同速率流动。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中当所述半导体裸片电耦合到所述衬底时，所述第一及第二细长流动元件接触所述衬底。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一通道不含支柱，并且其中在所述第一通道内引起的毛细管流动速率高于所述间隙内在所述第一通道外部的引起的毛细管流动速率。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述导电支柱在所述第一通道内部，并且其中在所述第一通道内引起的毛细管流动速率高于所述间隙内在所述第一通道外部的引起的毛细管流动速率。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括具有从所述前侧朝向所述衬底突出的第一及第二细长流动元件的第二毛细管流动结构，所述第二毛细管流动结构的所述第一及第二毛细管流动元件中的每一个彼此横向间隔开第二宽度，所述第二宽度经配置以引起底部填充材料沿着所述第二毛细管流动结构的所述第一及第二细长流动元件的长度进行毛细管流动。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：

所述第二毛细管流动结构的所述第一及第二细长流动元件的表面、所述衬底及所述半导体裸片的所述前侧形成第二通道，所述底部填充材料从引起的毛细管流动行进通过所述第二通道，及

所述第一及第二毛细管流动结构的相对外表面、所述衬底及所述半导体裸片的所述前侧形成第三通道，所述底部填充材料从引起的毛细管流动行进通过所述第三通道。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中在所述第一及第二通道内引起的毛细管流动速率高于在所述第三通道内引起的毛细管流动速率。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中在所述第三通道内引起的毛细管流动速率高于所述间隙内在所述第一、第二及第三通道外部的引起的毛细管流动速率。

9.一种用于直接芯片安装的半导体装置，其包括：

衬底；

半导体裸片，其具有从前侧延伸的导电支柱，所述半导体裸片通过所述导电支柱电耦合到所述衬底，且所述半导体裸片的所述前侧与所述衬底间隔开某一间隙；及

第一及第二毛细管流动结构，每一者具有从所述前侧朝向所述衬底突出的第一及第二细长流动元件，所述第一及第二毛细管流动结构彼此横向间隔开第一宽度，所述第一宽度经配置以引起底部填充材料在所述第一及第二毛细管流动结构之间进行毛细管流动，以使得在所述半导体裸片和所述衬底之间的间隙中施加在所述半导体裸片的周边处的所述底部填充材料以不同速率流动，

其中当所述半导体裸片电耦合到所述衬底时，所述第一及第二毛细管流动结构接触所述衬底。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中所述第一毛细管流动结构的所述第一及第二细长流动元件彼此横向间隔开第二宽度，并且其中所述第二毛细管流动结构的所述第一及第二细长流动元件彼此间隔开第三宽度。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中所述第一宽度大于所述第二及第三宽度。