[发明专利]一种芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质

说明书

本申请实施例公开一种芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质，涉及集成电路技术领域，为能够降低芯片测试成本而发明。所述芯片测试方法包括：从被测芯片中的预设存储模块，获取当前测试站别前的测试站别的测试信息；其中，所述预设存储模块为非易失性可重复读写擦除存储模块；根据所述当前测试站别前的测试站别的测试信息，确定在当前测试站别对所述被测芯片进行的操作。本申请适用于测试芯片。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

目前芯片检测一般会经历多个站别的测试，确保芯片质量完全符合规范才能流入市场。例如，封装前需要进行WS(Wafer Surface，晶圆级测试)测试，也称为PT(ProbeTest)，封装后进行FT(Final Test，最终测试)测试等等，其中，各站别的测试相对独立，而后面测试的站别测试，需要用到前面站别测试信息，现有技术中，采用将各个站别的测试信息上传到服务器，后面测试的站别从服务器中下载前面各个测试站别的测试信息，以实现各个站别之间的信息连通，然而，借助服务器实现各站别之间信息的连通，导致芯片测试的成本较高。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种芯片测试方法、装置、电子设备及存储介质，能够降低芯片测试成本。

第一方面，本申请实施例提供一种芯片测试方法，包括：从被测芯片中的预设存储模块，获取当前测试站别前的测试站别的测试信息；其中，所述预设存储模块为非易失性可重复读写擦除存储模块；根据所述当前测试站别前的测试站别的测试信息，确定在当前测试站别对所述被测芯片进行的操作。

根据本申请实施例的一种具体实施方式，在从被测芯片中的预设存储模块，获取当前测试站别前的测试站别的测试信息之前，包括：在进行当前测试站别前的任一测试站别的测试时，将各个测试站别的测试信息写入预设存储模块中的不同存储区域。

根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述测试信息包括产品等级信息；所述根据所述当前测试站别前的测试站别的测试信息，确定在当前测试站别对所述被测芯片进行的操作，包括：检查所述产品等级信息中是否包括不良品信息；如果包括不良品信息，则不进行当前测试站别的测试项目，结束测试流程。

根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述测试信息包括对所述被测芯片执行测试项目所得到的测试数据；所述根据所述当前测试站别前的测试站别的测试信息，确定在当前测试站别对所述被测芯片进行的操作，包括：根据所述当前测试站别前的测试站别的测试数据，在当前测试站别，调整对所述被测芯片进行测试的测试参数和/或测试方法。

根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述测试信息包括对所述被测芯片执行测试项目所得到的测试数据；所述根据所述当前测试站别前的测试站别的测试信息，确定在当前测试站别对所述被测芯片进行的操作，包括：根据所述当前测试站别前的测试站别的测试数据，对所述被测芯片执行当前测试站别的测试项目，得到所述当前测试站别的测试数据；根据所述当前测试站别前的测试站别的测试数据，以及所述当前测试站别的测试数据，确定所述被测芯片中的待关闭模块；若所述当前测试站别非最后的测试站别，则将所述待关闭模块的信息写入所述预设存储模块；若所述当前测试站别为最后的测试站别，则将所述待关闭模块关闭。

根据本申请实施例的一种具体实施方式，所述测试信息包括对所述被测芯片执行测试项目所得到的测试数据；所述根据所述当前测试站别前的测试站别的测试信息，确定在当前测试站别对所述被测芯片进行的操作，包括：根据所述当前测试站别前的测试站别的测试数据，对所述被测芯片执行当前测试站别的测试项目，得到所述当前测试站别的测试数据；根据所述当前测试站别前的测试站别的测试数据，以及所述当前测试站别的测试数据，确定待写入可熔断矩阵式存储电路内的信息；若所述当前测试站别非最后的测试站别，则将所述待写入可熔断矩阵式存储电路内的信息写入所述预设存储模块；若所述当前测试站别为最后的测试站别，则将所述待写入可熔断矩阵式存储电路内的信息写入可熔断矩阵式存储电路中。