[发明专利]一种功率器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011483001.8 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112687630A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 常桂钦;黄建新;康强;李寒;吴义伯;彭勇殿;罗海辉;罗启文 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L23/18;H01L23/31;H01L23/29;H01L23/367;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;金淼 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种功率器件，包括：半导体芯片和耐湿层，
其中，
所述耐湿层包括第一绝缘层和第二绝缘层；
所述第一绝缘层位于所述半导体芯片的上方和侧方；
所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层上方。
2.根据权利要求1所述的功率器件，其中，所述耐湿层还包括：
第三绝缘层和/或第四绝缘层；
所述第三绝缘层和/或所述第四绝缘层位于所述第二绝缘层上方。
3.根据权利要求1或2所述的功率器件，还包括：
散热底板，所述半导体芯片位于所述散热底板上方。
4.根据权利要求3所述的功率器件，还包括：
侧框，所述侧框与所述散热底板连接并形成容纳空间，所述耐湿层位于所述容纳空间内。
5.根据权利要求1或2所述的功率器件，其中，所述耐湿层的材料为硅胶、环氧树脂或及其组合。
6.根据权利要求5所述的功率器件，其中，
所述半导体芯片通过接合层与所述功率器件中的其他部件连接。
7.一种功率器件的制作方法，包括：
在功率器件的半导体芯片上方和侧方形成第一绝缘层；
固化所述第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其中，在所述第一绝缘层上形成第二绝缘层之后，还包括：
在所述第二绝缘层上形成第三绝缘层和/或第四绝缘层。
9.根据权利要求6所述的制作方法，其中，在功率器件的半导体芯片上表面和侧表面上形成第一绝缘层之前，还包括：
将所述半导体芯片形成于散热底板上；
安装侧框，所述侧框与所述散热底板连接并形成容纳空间，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层位于所述容纳空间内。
10.根据权利要求7至9中的任一项所述的制作方法，还包括：
通过加热所述功率器件或抽真空固化所述第一绝缘层和第二绝缘层。
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