[发明专利]沟道孔的制作方法、存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种沟道孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供表面具有第一堆叠结构(10)的衬底(100)，所述第一堆叠结构(10)中形成有贯穿至所述衬底(100)的多个第一沟道通孔(210)，在各所述第一沟道通孔(210)中形成填充层(211)，所述第一堆叠结构(10)具有至少一个切割区域，所述第一沟道通孔(210)位于所述第一堆叠结构(10)中除所述切割区域之外的区域中；

在所述第一堆叠结构(10)表面覆盖中间层(40)，在与所述切割区域对应的所述中间层(40)中形成第一对位槽(510)；

在所述中间层(40)上形成第二堆叠结构(60)，所述第二堆叠结构(60)对应于所述第一对位槽(510)的位置形成有第二对位槽(520)；

基于所述第二对位槽(520)，采用套刻工艺形成顺序贯穿所述第二堆叠结构(60)和中间层(40)至所述填充层(211)的第二沟道通孔(220)，去除所述填充层(211)以使所述第二沟道通孔(220)与所述第一沟道通孔(210)连通，

所述第一堆叠结构(10)包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的第一牺牲层(110)和第一隔离层(120)；

所述中间层(40)包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的第二牺牲层(410)和第二隔离层(420)；

所述第二堆叠结构(60)包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的第三牺牲层(610)和第三隔离层(620)，

所述第一对位槽(510)贯穿所述中间层(40)；

所述第一对位槽(510)贯穿至所述第一堆叠结构(10)中。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述中间层(40)包括至少两组所述第二牺牲层(410)和所述第二隔离层(420)。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，采用光刻工艺在与所述切割区域对应的所述中间层(40)中形成所述第一对位槽(510)。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二沟道通孔(220)的步骤包括：

在所述第二堆叠结构(60)表面覆盖硬掩膜(70)，所述硬掩膜(70)对应于所述第二对位槽(520)的位置形成第三对位槽；

采用光刻工艺在所述硬掩膜(70)上除所述第三对位槽之外的位置形成开口，通过所述开口对所述第二堆叠结构(60)进行刻蚀，以形成所述第二沟道通孔(220)，所述开口与所述第一沟道通孔(210)一一对应。

5.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

采用权利要求1至4中任一项所述的制作方法在衬底(100)上形成具有堆叠结构，所述堆叠结构中具有贯穿至所述衬底(100)的沟道孔(20)，所述堆叠结构包括沿远离所述衬底(100)的方向交替层叠的牺牲层和隔离层；

在所述沟道孔(20)中形成存储结构；

在所述堆叠结构中形成贯穿至所述衬底(100)的栅极隔槽，所述栅极隔槽位于相邻所述沟道孔(20)之间；

去除所述牺牲层，并在对应所述牺牲层的位置形成栅极层。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，形成所述存储结构的步骤包括：

在所述沟道孔(20)的侧壁上顺序形成层叠的电荷阻挡层、电子捕获层、隧穿层和沟道层。

7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，在所述堆叠结构的形成有第二对位槽(520)的切割区域形成贯穿至所述衬底(100)的所述栅极隔槽。

8.一种存储器，其特征在于，包括具有双栅极堆叠结构的衬底(100)和存储结构(500)，所述双栅极堆叠结构包括沿远离所述衬底(100)方向顺序层叠的第一栅极堆叠结构(200)、中间栅极堆叠结构(300)和第二栅极堆叠结构(400)，所述第一栅极堆叠结构(200)中具有贯穿至所述衬底(100)的第一沟道通孔(210)，所述中间栅极堆叠结构(300)和所述第二栅极堆叠结构(400)中具有与所述第一沟道通孔(210)连通的第二沟道通孔(220)，所述存储结构位于连通的所述第一沟道通孔(210)与所述第二沟道通孔(220)中，所述中间栅极堆叠结构(300)远离所述衬底(100)的一侧具有第一对位槽(510)，所述第二栅极堆叠结构(400)中的部分填充于所述第一对位槽(510)中，所述第二栅极堆叠结构远离所述衬底(100)的一侧表面具有与所述第一对位槽(510)对应的第二对位槽(520)，

所述第一栅极堆叠结构(200)包括交替层叠的第一隔离层(120)和第一栅极结构(130)，

所述中间栅极堆叠结构(300)包括交替层叠的第二隔离层(420)和第二栅极结构(430)，

所述第二栅极堆叠结构(400)包括交替层叠的第三隔离层(620)和第三栅极结构(630)，

所述第一对位槽(510)贯穿所述中间栅极堆叠结构(300)；

所述第一对位槽(510)贯穿至所述第一栅极堆叠结构(200)。