[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种装置，包括界定一个或多个电子元件的层的堆叠，其特征在于，其中该堆叠至少包括：

一个或多个半导体沟道；

电介质；

第一导体图案，其界定一个或多个耦合导体，其中所述一个或多个耦合导体经由所述电介质电容耦合至所述一个或多个半导体沟道；

平面化层；

第二导体图案，其界定一个或多个布线导体，其中所述第二导体图案经由至少所述平面化层中的通孔与所述第一导体图案接触，并且其中半导体沟道区域至少部分地位于通孔区域的外部。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述通孔完全位于所述半导体沟道区域的外部。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述堆叠包括第三导体图案，所述第三导体图案包含经由所述半导体沟道电串联地连接的导体元件；并且其中所述通孔位于不被所述第三导体图案的任何导体元件占据的一个或多个区域中。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二导体图案包括金属图案，并且所述第一导体图案包括导电金属氧化物图案。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述堆叠包括位于所述电介质之下的第三导体图案和图案化的半导体层，所述图案化的半导体层界定出所述一个或多个半导体沟道；其中所述图案化的半导体层和所述电介质与所述第三半导体图案的部分重叠；以及其中所述第一导体图案与所述第三导体图案被配置为使得所述第一导体图案与所述第三导体图案不重叠。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述第三导体图案形成在第四导体图案的部分上，其中未被所述第三导体图案覆盖的所述第四导体图案的部分界定了通过所述一个或多个半导体沟道连接的电极。

7.一种方法，其特征在于，所述方法包括：

在支撑衬底上形成至少有半导体、电介质以及第一导体图案，其中所述半导体界定一个或多个半导体沟道，所述一个或多个半导体沟道经由所述电介质电容耦合到所述第一导体图案的一个或多个耦合导体；

在所述支撑衬底上形成平面化层；

在至少所述平面化层上形成通孔，其中所述半导体沟道至少部分地位于通孔区域之外的区域中；以及

在所述支撑衬底上形成布线导体层，并蚀刻所述布线导体层以界定第二布线导体图案，所述第二布线导体图案经由所述一个或多个通孔与所述第一导体图案接触。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：至少在形成所述电介质之前形成第三导体图案，其中所述第三导体图案包括经由所述半导体沟道电串联的导体元件；以及其中所述蚀刻包括去除被所述第三导体图案占据的一个或多个区域的所述布线导体层的部分。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述通孔区域完全位于半导体沟道区域的外部。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，其中所述半导体和所述电介质包括与所述第二导体图案基本匹配并且重合的半导体图案和电介质图案，并且所述一个或多个通孔位于不被所述第三导体图案的任何导体元件占据的一个或多个区域中。

11.根据权利要求7到10中任一权利要求所述的方法，其特征在于，形成所述半导体、所述电介质和所述第一导体图案包括在所述支撑衬底上形成半导体层、电介质层和耦合导体层；图案化所述耦合导体层以形成耦合导体图案，并使用所述耦合导体图案和/或用于形成第一耦合导体图案的掩模对所述半导体层和所述电介质层进行图案化。

12.根据权利要求7到11中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第二布线导体图案包括金属图案，并且所述第一耦合导体图案包括导电金属氧化物图案。