[发明专利]一种基于原子组装法制备镓基铟锡导电薄膜的方法

权利要求书

1.一种基于原子组装法制备镓基铟锡导电薄膜的方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

(1)用酒精擦拭清洗双蒸发源的真空镀膜机的蒸发槽；

(2)准备纯度99.9％-99.9999％的镓(Ga)、纯度99.9-99.9999％的铟(In)和纯度99.9-99.9999％的锡(Sn)，镓铟锡单质材料是颗粒和靶材形态，待用；

(3)将步骤(2)中纯度99.9％-99.9999％的镓(Ga)，纯度99.9-99.9999％的铟(In)和纯度99.9-99.9999％的锡(Sn)三种靶材放入到真空镀膜机的各个电阻蒸发槽中；

(4)将基材置于真空镀膜机的基片架上并固定，用于收集Ga、In、Sn原子，其中，基材为聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚酰亚胺膜(PI)或玻璃；

(5)关闭真空镀膜机的室门，将真空镀膜机的腔室抽真空，并将真空度降至4×10^-6mbar；

(6)调控热蒸发槽的电流(A)，使Ga、In、Sn原子同时蒸发，将Ga、In、Sn原子杂化并同时沉积在基板的表面，完成沉积后从真空镀膜机中取出，待用；

(7)调控沉积的时间，使得在基板的薄膜厚度为10-90000纳米之间，获得沉积Ga、In、Sn原子杂化薄膜基材，待用；

(8)向真空镀膜机的腔室内放入空气，待腔室气压升至与大气压相同时，将步骤(7)获得的Ga、In、Sn原子杂化薄膜基材从真空镀膜机中取出；

(9)将步骤(8)获得的Ga、In、Sn原子杂化薄膜基材置于真空热处理炉中，抽真空并将热处理温度设置在180-250℃之间，加热时间为大于1小时，Ga、In、Sn杂化原子在真空热处理炉中通过真空热处理合金化形成GaInSn液态金属合金薄膜；

(10)关闭真空热处理炉的加热装置，待真空热处理炉的温度降至25-30℃后，向真空热处理炉中充入空气，达到真空热处理炉中的气压与大气压相同时取出Ga、In、Sn原子杂化薄膜基材，完成镓基铟锡导电薄膜的制备。