[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种方法，其特征在于：包括：

在支撑衬底上原位形成：第一金属层；在所述第一金属层之后的光吸收层；在所述光吸收层之后的导体图案；以及在所述导体图案之后的半导体层；

使用抗蚀剂掩模图案化所述半导体层以形成半导体图案，所述半导体图案限定一个或多个半导体装置的一个或多个半导体沟道；以及

使用所述抗蚀剂掩模和所述导体图案图案化所述光吸收层，以便在由至少一个所述抗蚀剂掩模和所述导体图案占据的区域中选择性地保留所述光吸收层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光吸收层表现出至少约1的白光光学密度(在基本上垂直于所述支撑衬底的平面的方向上)和不大于约10％的白光总反射率。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其特征在于：所述光吸收层包括绝缘体材料，优选地具有大于1MOhm/square的薄膜电阻。

4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述光吸收层与所述半导体层分开不大于约500nm的距离(在基本上垂直于所述支撑衬底的平面的方向上)。

5.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述光吸收层界面接合于所述一个或多个半导体沟道。

6.根据权利要求1至5中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述第一金属层是遮光金属图案。

7.根据权利要求1至6中任一权利要求所述的方法，其特征在于：所述一个或多个半导体装置形成用于液晶单元的控制部件半单元的一部分，所述液晶单元包括在所述控制部件半单元与另一半单元之间的液晶材料，所述另一半单元包括黑矩阵中的滤色器阵列。

8.一种装置，其特征在于：包括：限定一个或多个半导体装置的层的堆叠；所述堆叠包括：半导体层，所述半导体层限定所述一个或多个半导体装置的一个或多个半导体沟道；在所述半导体层下方的第一金属层以及在所述半导体层上方的第二金属层；在所述第一金属层和所述半导体层之间的导体图案；以及在所述第一金属层和所述导体图案之间的光吸收图案；所述光吸收图案具有与所述导体图案的边缘对准的边缘。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：所述光吸收图案表现出至少约1的白光光学密度(在基本上垂直于所述堆叠的平面的方向上)，以及不超过约10％的白光总反射率。

10.根据权利要求8或权利要求9所述的装置，其特征在于：所述光吸收图案包括绝缘体材料，优选地具有大于1MOhm/square的薄膜电阻。

11.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的装置，其特征在于：所述光吸收图案与所述半导体层分开不大于约500nm的距离(在基本上垂直于所述堆叠的平面的方向上)。

12.根据权利要求8至10中任一权利要求所述的装置，其特征在于：所述光吸收图案界面接合于所述一个或多个半导体沟道。

13.根据权利要求8至12中任一权利要求所述的装置，其特征在于：所述第一金属层包括遮光金属图案。

14.根据权利要求8至13中任一权利要求所述的装置，其特征在于：所述一个或多个半导体装置形成用于液晶单元的控制部件半单元的一部分，所述液晶单元包括在所述控制部件半单元与另一半单元之间的液晶材料，所述另一半单元包括黑矩阵中的滤色器阵列。

15.一种装置，其特征在于：包括：限定一个或多个晶体管装置的层的堆叠；所述堆叠包括：半导体层，所述半导体层限定所述一个或多个晶体管装置的一个或多个半导体沟道；在所述半导体层上的金属层；以及在所述半导体层和所述金属层之间的光吸收图案。