[发明专利]显示装置及其制造方法在审
申请号: | 202011484486.2 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN113053952A | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 松枝洋二郎;河内玄士朗 | 申请(专利权)人: | 天马日本株式会社;武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;G09F9/30 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华;何月华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
本发明涉及显示装置及其制造方法。一种显示装置,包括:第一聚酰亚胺层;第一氧化硅层,位于第一聚酰亚胺层的上方并且与第一聚酰亚胺层直接接触;非晶硅层,位于第一氧化硅层的上方并且与第一氧化硅层直接接触;第二聚酰亚胺层,位于非晶硅层的上方并且与非晶硅层直接接触;多个发光元件,位于第二聚酰亚胺层的上方;晶体管阵列,位于第二聚酰亚胺层的上方,晶体管阵列被配置为控制多个发光元件的发光;透明导电层,位于晶体管阵列与第二聚酰亚胺层之间;以及第二氧化硅层,位于透明导电层与第二聚酰亚胺层之间并且与透明导电层和第二聚酰亚胺层直接接触。
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
有机发光二极管(OLED)元件是电流驱动的自发光元件,因此不需要背光。除此之外,OLED元件具有实现低电力消耗、宽视角和高对比度的优点。因为没有背光,所以包括有机EL装置的柔性OLED显示装置实现了超薄和柔性。
传统的柔性OLED显示装置的基板具有这样的结构,其中氧化硅层、氮化硅层和另一个氧化硅层依次层叠在厚度为10μm至15μm的聚酰亚胺膜上。在基板上制造薄膜晶体管(TFT)阵列。
发明内容
已经发现,与采用玻璃基板的OLED显示装置相比,采用聚酰亚胺膜作为基板的柔性OLED显示装置具有图像残留性(可逆重影图像)强的缺点。
本发明的一个方面是一种显示装置,包括:第一聚酰亚胺层;第一氧化硅层,其位于第一聚酰亚胺层的上方并且与第一聚酰亚胺层直接接触;非晶硅层,其位于第一氧化硅层的上方并且与第一氧化硅层直接接触;第二聚酰亚胺层,其位于非晶硅层的上方并与非晶硅层直接接触;多个发光元件,其位于第二聚酰亚胺层的上方;晶体管阵列,其位于第二聚酰亚胺层的上方,所述晶体管阵列被配置为控制多个发光元件的发光;透明导电层,其位于晶体管阵列与第二聚酰亚胺层之间;以及第二氧化硅层,其位于透明导电层与第二聚酰亚胺层之间并与透明导电层和第二聚酰亚胺层直接接触。
本发明的另一方面是一种显示装置的制造方法,该方法包括:第一步骤:在第一聚酰亚胺层上直接形成第一氧化硅层;第二步骤:在第一氧化硅层上直接形成非晶硅层;第三步骤:在非晶硅层上直接形成第二聚酰亚胺层;第四步骤:在第二聚酰亚胺层上直接形成第二氧化硅层;第五步骤:在第二氧化硅层上直接形成透明导电层;以及第六步骤:在第二氧化硅层上形成晶体管阵列,该晶体管阵列用于控制多个发光元件的发光。
本发明的一方面实现了显示装置中的低图像残留性,在该显示装置中,要层叠的膜不会在制造工艺中彼此分离,或者耐弯曲性提高。
应当理解的是,前面的概述和下面的详细描述都是示例性和说明性的,并不旨在限制本发明。
附图说明
图1示意性地示出了OLED显示装置的结构示例;
图2A示出了像素电路的结构示例;
图2B示出了像素电路的另一结构示例;
图3提供了传统的柔性基板上的TFT和玻璃基板上的TFT的特性比较评价的结果;
图4示意性地示出了柔性基板、驱动TFT以及TFT基板的OLED元件和封装结构单元的剖面结构;
图5A和图5B示出了在OLED显示装置的制造方法的示例中的背板的制造工艺;
图6A示意地示出了比较例的OLED显示装置的剖面;以及
图6B示意性地示出了包括本发明的实施方式的透明导电层的OLED显示装置的剖面。
具体实施方式
在下文中,将参考附图描述本发明的实施方式。应当注意的是,实施方式仅是用于实现本发明的示例,并且不旨在限制本发明的技术范围。附图中相同的元件由相同的附图标记表示,并且附图中的每个元件可以在尺寸和/或形状上放大以清楚地理解本说明书。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的