[发明专利]一种多频带的单刀双掷开关有效
| 申请号： | 202011484522.5 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112653439B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 康凯;黄趾维;吴韵秋;赵晨曦;刘辉华;余益明 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 频带 单刀 开关 | ||
1.一种多频带的单刀双掷开关，包括：晶体管M1、晶体管M2、晶体管M3、晶体管M4，晶体管M5、晶体管M6及双圈八边形片上电感；其特征在于，所述晶体管M1的源极与晶体管M2的源极相连、并作为单刀双掷开关的第三端口P3，晶体管M1的漏极与晶体管M3的漏极相连、并作为单刀双掷开关的第一端口P1，晶体管M2的漏极与晶体管M4的漏极相连、并作为单刀双掷开关的第二端口P2，晶体管M1与晶体管M4的栅极连接控制电压Vc，晶体管M2与晶体管M3的栅极连接控制电压晶体管M3与晶体管M4的漏极接地；所述双圈八边形片上电感两端分别连接于晶体管M1和晶体管M2的漏极、由内圈八边形片上电感与外圈八边形片上电感并联构成，所述内圈八边形片上电感与外圈八边形片上电感上分别设置有开口，内圈八边形片上电感的开口端分别连接晶体管M5的源极和漏极，外圈八边形片上电感的开口端分别连接晶体管M6的源极和漏极，晶体管M5和晶体管M6的栅极分别连接控制电压V_SW1和V_SW2；晶体管M5的漏极通过内圈八边形片上电感连接于晶体管M1的漏极，晶体管M5的源极通过内圈八边形片上电感连接于晶体管M2的漏极；晶体管M6的漏极通过外圈八边形片上电感连接于晶体管M1的漏极，晶体管M6的源极通过外圈八边形片上电感连接于晶体管M2的漏极。
2.按权利要求1所述多频带的单刀双掷开关，其特征在于，当所述控制电压Vc为高电平、控制电压为低电平时，单刀双掷开关的第一端口P1到第三端口P3导通、第二端口P2到第三端口P3关断；当控制电压Vc为低电平、控制电压为高电平时，单刀双掷开关的第二端口P2到第三端口P3导通、第一端口P1到第三端口P3关断。
3.按权利要求1所述多频带的单刀双掷开关，其特征在于，当控制电压V_SW1和V_SW2都为低电平时，单刀双掷开关工作在低频状态；当控制电压V_SW1为高电平、V_SW2为低电平时，单刀双掷开关工作在中频状态；当控制电压V_SW1和V_SW2都为高电平时，单刀双掷开关工作在高频状态。
4.按权利要求1所述多频带的单刀双掷开关，其特征在于，所述内圈八边形片上电感与外圈八边形片上电感上设置的开口均开设于电感的中点处。
5.按权利要求1所述多频带的单刀双掷开关，其特征在于，所述晶体管M1～M4均采用交流浮栅浮体技术。
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