[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011484785.6 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN113130556A | 公开(公告)日: | 2021-07-16 |
发明(设计)人: | 明在焕 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;唐明英 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基板,所述基板包括其中布置有像素的显示区域和其中布置有伪图案的非显示区域,所述非显示区域围绕所述显示区域;
发射层,所述发射层形成在所述像素和所述伪图案中;以及
堤部,所述堤部围绕所述发射层,
其中,在所述非显示区域中,所述堤部包括从所述堤部的侧面突出至所述伪图案中的多个突出部。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述突出部中的每一个包括:
第一倾斜侧面;以及
第二倾斜侧面,与所述第一倾斜侧面相比,所述第二倾斜侧面被设置成更远离所述显示区域;
其中,所述第一倾斜侧面从所述堤部的侧面延伸以与所述堤部的侧面形成钝角,并且所述第二倾斜侧面从所述堤部的侧面延伸以与所述堤部的侧面形成锐角或直角。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述堤部包括:
具有亲水性的第一堤部;以及
第二堤部,所述第二堤部形成在所述第一堤部上,并且设置有具有疏水性的至少一个区域。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述突出部中的每一个包括:
从所述第一堤部延伸的延伸部分;以及
从所述第二堤部延伸的延伸部分。
5.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述突出部中的每一个包括具有亲水性的第三堤部,并且
所述第三堤部的厚度形成为大于所述第一堤部的厚度。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述突出部的每一个还包括形成在所述第三堤部上的所述第二堤部。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第三堤部被形成为覆盖所述第一堤部的在其上未形成有所述第二堤部的上表面的至少一部分,并且与所述第二堤部的侧面接触。
8.根据权利要求3所述的显示装置,其中,所述显示区域中的所述堤部的厚度被形成为大于所述非显示区域中的所述堤部的厚度。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述非显示区域中的所述第一堤部的厚度被形成为等于或大于所述显示区域中的所述第一堤部的厚度。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,在所述显示区域中,所述第一堤部设置在所述显示区域的像素列之间以及所述显示区域的像素行之间,以及
在所述显示区域中,所述第二堤部设置在所述像素列之间的所述第一堤部上。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述伪图案中的每一个具有从相邻的像素行或相邻的像素列延伸的条的形状。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,对于每个像素列,所述发射层在该像素列以及与该像素列相邻的伪图案中一体地形成。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其中,中心区域中的所述发射层的厚度小于与所述堤部相邻的边缘区域中的所述发射层的厚度。
14.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
针对所述显示区域中的所述像素中的每一个的阳极电极,所述阳极电极设置在所述发射层下方;以及
阴极电极,所述阴极电极形成在所述发射层和所述堤部上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的