[发明专利]一种高频压控振荡器系统

权利要求书

1.一种高频压控振荡器系统，其特征在于，包括低频锁相环和环外压控振荡器，所述低频锁相环包括环内压控振荡器，所述环外压控振荡器与所述环内压控振荡器均由经所述低频锁相环锁定的控制电压控制，所述环外压控振荡器包括M个延时单元且M个所述延时单元级联后再输入输出相连接，所述环内压控振荡器包括N个所述延时单元且N个所述延时单元级联后再输入输出相连接，其中M＜N；

其中，所述低频锁相环还包括分频器、鉴频鉴相器和电荷泵，所述分频器连接在所述环内压控振荡器的输出端以用于将所述环内压控振荡器的输出信号的频率进行分频得到分频后的所述环内压控振荡器的输出信号的频率，所述鉴频鉴相器连接在所述分频器的输出端以用于将分频后的所述环内压控振荡器的输出信号的频率与一外部晶振输入的参考频率进行比较并得到相频偏差，所述电荷泵连接在所述鉴频鉴相器的输出端以用于将所述相频偏差转换成电流并形成所述控制电压；

所述环内压控振荡器中的所述延时单元的数量N根据的计算结果进行取值：当为整数时，N取值为的计算结果，当为非整数时，N取值为的计算结果四舍五入后的整数；其中，f_ext为所述环外压控振荡器的输出频率，D为所述分频器的分频比，f_ref为所述外部晶振输入的参考频率。

2.根据权利要求1所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，所述延时单元由Q个CMOS反相器级联形成，其中Q为奇数，且Q≥3。

3.根据权利要求2所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，所述CMOS反相器包括一个用于控制延时的NMOS管和一个输入控制端以形成可控延时反相器。

4.根据权利要求1所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，所述低频锁相环还包括环路低通滤波器，所述环路低通滤波器连接在所述电荷泵的输出端，以将所述电荷泵转换的电流进行充放电形成所述控制电压。

5.根据权利要求1所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，通过调节所述分频器的分频比D和/或所述外部晶振输入的参考频率f_ref以使得N取值为奇数，且M为奇数。

6.根据权利要求1所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，如果N取值为偶数，且M为奇数，所述环内压控振荡器还包括一个额外反相器，所述额外反相器级联在N个所述延时单元之后且N个所述延时单元的输入与所述额外反相器的输出相连接。

7.根据权利要求1所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，M为奇数。

8.根据权利要求7所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，M＝1。

9.根据权利要求1所述的高频压控振荡器系统，其特征在于，所述环外压控振荡器输出的频率为380MHz～5.3GHz的高频，所述环内压控振荡器输出的频率为20MHz～280MHz的低频。