[发明专利]垂直栅半导体器件的制备方法

权利要求书

1.一种垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底中形成沟槽，所述沟槽限定出光电二极管区和浮动扩散区；

在所述沟槽中形成第一多晶硅层，所述第一多晶硅层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底的表面；

对所述第一多晶硅层进行第一离子注入工艺；

在所述沟槽中形成第二多晶硅层，所述第二多晶硅层填充所述沟槽并覆盖所述第一多晶硅层；

对所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层进行第二离子注入工艺。

2.如权利要求1所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一多晶硅层的厚度为

3.如权利要求1或2所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的厚度为

4.如权利要求1所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺和所述第二离子注入工艺注入的离子类型相同。

5.如权利要求4所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺和所述第二离子注入工艺注入的离子类型均为N型或P型。

6.如权利要求1所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺和所述第二离子注入工艺的离子注入浓度均为2×10¹⁵atoms/cm³～4×10¹⁵atoms/cm³。

7.如权利要求1所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入工艺的离子注入能量为1500eV～3000eV，所述第二离子注入工艺的离子注入能量为6000eV～9000eV。

8.如权利要求1所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，所述沟槽的深度为

9.如权利要求1所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述沟槽中形成第一多晶硅层之前，还在所述沟槽中形成氧化层，所述氧化层覆盖所述沟槽的内壁并延伸覆盖所述衬底的表面。

10.如权利要求1所述的垂直栅半导体器件的制备方法，其特征在于，在对所述第二多晶硅层和所述第一多晶硅层进行第二离子注入工艺后，还对所述第一多晶硅层和所述第二多晶硅层进行退火，所述退火的温度为700℃～1000℃。