[发明专利]适用于CO-60放射源标号识别的方法

权利要求书

1.一种适用于CO-60放射源标号识别的方法，其特征是：该方法包括如下步骤：

步骤一：光线耐辐射测试；

步骤二：CMOS图像传感器的筛选及辐射防护；

采用⁶⁰Co-γ辐射源模拟工作环境模拟，剂量率为1Gy/h，累积剂量为1000Gy在辐照时，根据实验需要在CMOS两端加偏置电压，分别采用离线两种方式对CMOS芯片的耐辐射性能进行测试；

步骤三：对系统进行防水结构设计；

步骤四：对放射源标号进行识别；

图像的左右反转利用flipdim（）函数进行图像翻转，由于在辐射环境下，图像传感器存在大量的脉冲噪声，这些噪声可等效为大小不同的椒盐噪声，其概率密度函数可等效为：

当ba,灰度值b在图像中显示为亮点即为盐噪声，a值显示为暗点即为胡椒噪声；

采用中值滤波和离散余弦变换（DCT）对添加椒盐噪声的图像进行降噪处理图像去噪处理，并采用PSNR评价法对不同方法进行了效果验证：

通过PSNR算法5种滤波方式获得的PSNR值分别为44、51、46、31.、31，中值滤波窗口参数3×3对图像噪声过滤效果最佳。

2.根据权利要求1所述的适用于CO-60放射源标号识别的方法，其特征是：所述的步骤一的具体过程为：纤维光学元件的主要质量指标有数值孔径、透过率、分辨率等，由于光纤组合元件的数值孔径与单根光纤相同；耐辐照射线系统设计像素为200W，因此若想达到单丝直径小于像元数量，要求丝经要小于10μm。

3.根据权利要求2所述的适用于CO-60放射源标号识别的方法，其特征是： 所述的步骤二的具体过程为：采用⁶⁰Co-γ辐射源模拟工作环境模拟，剂量率为1Gy/h，累积剂量为1000Gy在辐照时，根据实验需要在CMOS两端加偏置电压，分别采用离线两种方式对CMOS芯片的耐辐射性能进行测试。

4.根据权利要求3所述的适用于CO-60放射源标号识别的方法，其特征是：所述的步骤三的具体过程为：镜头参数选：30倍光学变焦、F值2.6-4.9、像元1/1.8、接口方式：C-Mount，工业相机：300万像素、靶面尺寸：1/1.8、镜头接口: C-Mount、数据接口：GigabitEthernet，屏蔽材料选择：为钨合金，经过mcnp进行计算对系统辐射防结构进行模拟，进行防水结构优化，优化后100万居Co-60装置，2米处CMOS所受剂量率为0.1G/h。