[发明专利]热敏打印头有效

专利信息
申请号: 202011487754.6 申请日: 2019-02-25
公开(公告)号: CN112622450B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 木村俊博;藤田明良;中久保一也;木本智士;吉川泰弘;山本忠司 申请(专利权)人: 罗姆股份有限公司
主分类号: B41J2/335 分类号: B41J2/335
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;刘芃茜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 热敏 打印头
【权利要求书】:

1.一种热敏打印头,其特征在于,包括:

基片;

电阻体层,其支承于所述基片且具有在主扫描方向上排列的多个发热部;

第一导电层,其支承于所述基片且构成对所述多个发热部的通电路径,副扫描方向上的每单位长度的电阻值比所述发热部小;和

第二导电层,其与所述发热部在副扫描方向上相邻,且具有与所述第一导电层相接触的副发热部,副扫描方向上的每单位长度的电阻值采用所述发热部与所述第一导电层之间的值,

所述基片具有主面和从所述主面突出且在主扫描方向上延伸的凸部,

所述凸部具有距所述主面的距离最大的顶部、和与该顶部在副扫描方向两侧相连且相对于所述主面倾斜的一对第一倾斜部,

所述发热部形成于所述顶部的副扫描方向的至少一部分,

所述凸部具有一对第二倾斜部,该一对第二倾斜部相对于所述一对第一倾斜部在副扫描方向上在与所述顶部相反一侧与所述一对第一倾斜部相连,且相对于所述主面以比所述第一倾斜部大的倾斜角度倾斜。

2.如权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于:

所述基片由单晶半导体形成。

3.如权利要求2所述的热敏打印头,其特征在于:

所述发热部形成于所述顶部的副扫描方向的全长上。

4.如权利要求3所述的热敏打印头,其特征在于:

所述副发热部形成于所述第一倾斜部的副扫描方向上的至少一部分。

5.如权利要求4所述的热敏打印头,其特征在于:

所述发热部跨所述顶部与所述一对第一倾斜部的交界,还形成于所述一对第一倾斜部的在副扫描方向上的各一部分。

6.如权利要求5所述的热敏打印头,其特征在于:

一对所述副发热部形成为分别跨所述一对第一倾斜部与所述一对第二倾斜部的交界。

7.如权利要求6所述的热敏打印头,其特征在于:

所述副发热部形成于所述第一倾斜部和所述第二倾斜部的副扫描方向上的各一部分。

8.如权利要求1所述的热敏打印头,其特征在于:

所述发热部以跨所述顶部与该第一倾斜部的交界的方式,形成于所述顶部的副扫描方向的一部分和位于副扫描方向下游侧的所述第一倾斜部的副扫描方向的至少一部分,

所述副发热部以跨所述顶部与该第一倾斜部的交界的方式,形成于所述顶部的副扫描方向的一部分和位于副扫描方向上游侧的所述第一倾斜部的至少一部分。

9.如权利要求8所述的热敏打印头,其特征在于:

所述发热部以跨该第一倾斜部与该第二倾斜部的交界的方式,形成于位于副扫描方向下游侧的所述第一倾斜部的全长上、和位于副扫描方向下游侧的所述第二倾斜部的一部分。

10.如权利要求9所述的热敏打印头,其特征在于:

包括一对所述副发热部,

一方的所述副发热部以跨所述顶部与该第一倾斜部的交界的方式,形成于所述顶部的副扫描方向的一部分和位于副扫描方向上游侧的第一倾斜部的一部分。

11.如权利要求10所述的热敏打印头,其特征在于:

另一方的所述副发热部形成于位于副扫描方向下游侧的所述第二倾斜部的一部分。

12.如权利要求1至11中任一项所述的热敏打印头,其特征在于:

所述电阻体层形成于所述基片与所述第一导电层之间。

13.如权利要求12所述的热敏打印头,其特征在于:

所述第二导电层形成于所述电阻体层与所述第一导电层之间。

14.如权利要求12所述的热敏打印头,其特征在于:

所述第二导电层相对于所述电阻体层和所述第一导电层形成于与所述基片相反一侧。

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