[发明专利]一种低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，以所述材料的总量计，包括如下质量含量的组分：

ZnO-SiO₂-Al₂O₃玻璃45-65wt％；

Al₂O₃ 35-50wt％；

稀土氧化物0-15wt％；

所述ZnO-SiO₂-Al₂O₃玻璃包括如下质量含量的原料成分：

其中，x为1或2，y为1、2、3或5；

所述R元素选自Zr元素、Ba元素、Sb元素、Cu元素或Ti元素中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述稀土氧化物包括CeO₂、Pr₆O₁₁、La₂O₃、Nb₂O₅中的至少一种。

3.根据权利要求1或2所述的低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料中，控制所述Al₂O₃组分的含量与所述玻璃中Al₂O₃的含量之和占所述低温共烧陶瓷材料总量的43-63wt％。

4.根据权利要求1或2所述的低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料中，控制所述玻璃粉中ZnO、SiO₂、R_xO_y分别占所述低温共烧陶瓷材料总量的26.55-39.55％、8.55-13.65％、0.045-0.65％。

5.根据权利要求1或2所述的低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料在室温以及测试频率20GHz下，介电常数为7±0.5。

6.根据权利要求1或2所述的低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料在室温以及测试频率20GHz下，介电损耗2×10^-3。

7.根据权利要求1或2所述的低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料在-40℃～110℃温度范围内以及测试频率20GHz下，温漂为±3ppm/℃以内。

8.根据权利要求1或2所述的低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述低温共烧陶瓷材料的抗弯强度150MPa。

9.一种低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷浆料，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述低温共烧陶瓷材料以及有机载体，其中，所述低温共烧陶瓷材料占所述浆料的质量含量为37-48wt％。

10.根据权利要求9所述低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷浆料，其特征在于，所述有机载体包括粘结剂、增塑剂及溶解剂。

11.根据权利要求10所述低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷浆料，其特征在于，所述有机载体还包括分散剂和消泡剂。

12.根据权利要求10所述低介低损耗近零温漂低温共烧陶瓷浆料，其特征在于：

所述粘结剂包括PVA、PVB、聚丙烯酸甲脂、乙基纤维素、丙烯酸乳剂、聚丙烯酸胺盐中一种；

所述增塑剂包括聚乙二醇、邻苯二甲酸脂、乙二醇中一种；

所述溶解剂包括水、乙醇、甲乙酮、三氯乙烯、甲苯、二甲苯中的一种。