[发明专利]一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极在审
| 申请号： | 202011488705.4 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112635583A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 叶继春;曾俞衡;闫宝杰;智雨燕;郑晶茗;卢琳娜;廖明墩;刘尊珂;林毅然;冯蒙蒙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/054 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 钝化 接触 金属化 电极 | ||
1.一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极，其特征在于，包括依次叠加设置的晶硅衬底、隧穿层、重掺多晶硅层、第一金属化层和第三金属化层，所述第一金属化层的金属与所述多晶硅层功函数匹配，所述第三金属化层为Al层或Cu层。
2.根据权利要求1所述的金属化电极，其特征在于，所述背面电极还包括设置于所述第一金属化层和所述第三金属化层之间的第二金属化层。
3.根据权利要求2所述的金属化电极，其特征在于，所述第二金属化层的厚度为10～200nm。
4.根据权利要求2所述的金属化电极，其特征在于，所述第二金属化层为Ag层。
5.根据权利要求1或2所述的金属化电极，其特征在于，所述隧穿层为SiOx层或氮氧化硅层。
6.根据权利要求1或2所述的金属化电极，其特征在于，所述重掺多晶硅层为掺硼多晶硅层或掺镓多晶硅层。
7.根据权利要求1或2所述的金属化电极，其特征在于，所述第一金属化层的金属选自Ti、Pd、Ni或Cr。
8.根据权利要求1或2所述的金属化电极，其特征在于，所述隧穿层的厚度＜5nm，所述重掺多晶硅层的厚度为20～500nm，所述第一金属化层的厚度为5～50nm，所述第三金属化层的厚度为200～2000nm或10000～300000nm。
9.根据权利要求1或2所述的金属化电极，其特征在于，所述重掺多晶硅层中的元素掺杂浓度为1E17～5E21cm-3。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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