[发明专利]一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件在审
| 申请号： | 202011489643.9 | 申请日： | 2020-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN112687644A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 尚敬;常桂钦;黄建新;罗海辉;彭勇殿;吴义伯;窦泽春;杨进峰 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/367;H01L25/11;H01R9/24 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 吴大建;何娇 |
| 地址： | 412001 湖南省株洲市石峰*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 结构 集成 散热器 igbt 功率 器件 | ||
1.一种具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，包括：散热器、衬板、PCB电路、端子以及低感复合母排，焊接有芯片的所述衬板与所述散热器互联，所述衬板上布置有所述PCB电路和端子，所述低感复合母排与所述端子连接；
其中，所述低感复合母排包括：相对设置的半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC-级、以及设置在半桥IGBT器件的DC+和半桥IGBT器件的DC-级的一侧的半桥IGBT器件的AC级。
2.根据权利要求1所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述IGBT功率器件的四周通过管壳与外部隔离。
3.根据权利要求2所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述管壳采用绝缘材料制成。
4.根据权利要求2所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，整个低感复合母排与衬板被灌封胶以及管壳一同封住。
5.根据权利要求1所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述衬板通过钎焊或烧结而与所述散热器互联。
6.根据权利要求1所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述低感复合母排通过波峰焊接与端子的上部进行连接。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述半桥IGBT器件的DC+级和半桥IGBT器件的DC-级的位置能够相互替换。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，多个集成散热器IGBT功率器件能够堆叠放置而形成散热器。
9.根据权利要求1至6中任一项所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述PCB电路用于控制开关信号。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的具有低感复合母排结构的集成散热器IGBT功率器件，其特征在于，所述IGBT功率器件能够容纳2个独立IGBT模块的衬板。
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