[发明专利]抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.将织物基材依次在去离子水、氢氧化钠溶液和去离子水中超声处理预设时间，然后取出自然晾干；

S2.将经步骤S1处理后的织物基材浸渍于导电材料溶液中，超声处理预设时间，然后取出烘干，得到导电织物；

S3.将步骤S2得到的所述导电织物浸渍于表面接枝改性的纳米金属氧化物颗粒的分散液中，超声处理0.5～30min，然后取出用去离子水清洗，再置于烘箱中进行烘干处理，得到超疏水导电织物；所述表面接枝改性的纳米金属氧化物颗粒包括表面接枝改性的纳米TiO₂颗粒、纳米SnO颗粒、纳米ZnO颗粒中的一种或多种，所述表面接枝改性采用的接枝改性物为包含无氟的长烷基链的疏水有机物，所述接枝改性物的含量为所述纳米金属氧化物颗粒的2.5wt％～10wt％；

S4.将步骤S3得到的所述超疏水导电织物的表面连接电极，得到超疏水织物基压力传感器。

2.根据权利要求1所述的抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述织物基材为棉织物或涤棉混纺织物。

3.根据权利要求1所述的抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，所述氢氧化钠溶液的浓度为1wt％～10wt％，所述织物基材在所述氢氧化钠溶液中的处理时间为1～10min。

4.根据权利要求1所述的抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器的制备方法，其特征在于，在步骤S2中，所述导电材料溶液中导电材料的质量含量为1wt％～10wt％。

5.根据权利要求4所述的抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器的制备方法，其特征在于，所述导电材料包括PEDOT:PSS、聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩、聚乙炔、石墨烯、碳纳米管、炭黑中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器的制备方法，其特征在于，在步骤S3中，所述表面接枝改性的纳米金属氧化物颗粒的分散液的固含量为2.5wt％～10wt％，分散溶剂为甲苯或N，N-二甲基甲酰胺。

7.根据权利要求1所述的抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器的制备方法，其特征在于，所述包含无氟的长烷基链的疏水有机物包括C3～C16的烷烃、烯烃、烷基羧酸、烯烃基羧酸或包含C3～C16烷基链的硅氧烷。

8.一种抗湿度干扰的超疏水织物基压力传感器，其特征在于，采用权利要求1至7中任一项权利要求所述的制备方法制备得到。