[发明专利]压接装置和有压烧结设备在审
申请号: | 202011490768.3 | 申请日: | 2020-12-16 |
公开(公告)号: | CN112735978A | 公开(公告)日: | 2021-04-30 |
发明(设计)人: | 张西子;王亮;周扬;钱靖;吴灵美;陈显平;喻佳兵 | 申请(专利权)人: | 全球能源互联网研究院有限公司;重庆大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰;王淑梅 |
地址: | 100000 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 烧结 设备 | ||
1.一种压接装置(100),用于压接待热压烧结的芯片组件(300),其特征在于,所述压接装置(100)包括:
底座(10),所述底座(10)内设置有容纳腔(12);
压块(20),设置在所述容纳腔(12)内,所述压块(20)能够在所述容纳腔(12)内沿所述容纳腔(12)的深度方向滑动;
其中,所述芯片组件(300)位于所述压块(20)和所述容纳腔(12)的底壁之间,所述压块(20)能够将所述芯片组件(300)压紧在所述底壁上。
2.根据权利要求1所述的压接装置(100),其特征在于,所述压接装置(100)还包括驱动组件(30),所述驱动组件(30)能够与所述压块(20)抵触接触,以推动所述压块(20)沿所述容纳腔(12)的深度方向滑动。
3.根据权利要求2所述的压接装置(100),其特征在于,所述驱动组件(30)包括:
顶盖(32),盖设在所述底座(10)上;
压紧螺栓(34),与所述顶盖(32)螺纹连接,所述压紧螺栓(34)的一端从所述顶盖(32)穿设出,所述压紧螺栓(34)的所述一端能够与所述压块(20)抵触接触。
4.根据权利要求3所述的压接装置(100),其特征在于,所述压块(20)上设置有定位槽(22),所述压紧螺栓(34)的所述一端与所述定位槽(22)插接配合。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的压接装置(100),其特征在于,所述底座(10)与所述压接装置(100)的顶盖(32)相接触的一端上设置有连接螺孔(11),所述顶盖(32)上设置有过孔(322),所述过孔(322)与所述连接螺孔(11)对应设置,所述压接装置(100)还包括连接螺钉,所述连接螺钉从所述过孔(322)部分穿设出所述顶盖(32)与所述连接螺孔(11)螺纹连接。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的压接装置(100),其特征在于,所述底座(10)内还设置有与所述容纳腔(12)相连通的导向槽(14),所述压块(20)包括本体(24)和与所述本体(24)连接的导向凸起(26),所述导向凸起(26)与所述导向槽(14)相配合。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的压接装置(100),其特征在于,所述底座(10)的前端面(16)设置有观察孔(162),所述观察孔(162)与所述容纳腔(12)连通,所述观察孔(162)用于观察所述芯片组件(300)的放置位置。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的压接装置(100),其特征在于,所述底座(10)的左右两侧均设置有气体过流孔(18),所述气体过流孔(18)与所述容纳腔(12)连通。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的压接装置(100),其特征在于,所述压块(20)与所述芯片组件(300)相接触的一端设置成阶梯结构,和/或,所述压块(20)与所述芯片组件(300)相接触的一端的面积为d,所述芯片组件(300)中芯片的分布区域的面积为s,所述d的取值范围为:1.1s≤d≤1.5s。
10.一种有压烧结设备,其特征在于,所述有压烧结设备包括:
加热装置(200);
如权利要求1至9中任一项所述的压接装置(100),所述压接装置(100)位于所述加热装置(200)内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造