[发明专利]一种适用于CCM的自适应软驱动控制电路

说明书

本发明公开了一种适用于CCM的自适应软驱动控制电路，包括由整流滤波电路、反激电路依次连接而构成的基础电路、参考阈值产生电路、校正模块的电路，其中反激电路包含外部功率MOS，该外部功率MOS为切换原边绕组的主开关管，所述参考阈值产生电路输入端与基础电路中的辅助绕组上分压电阻RUP和下分压电阻RDN的连接点相连接。本发明不需要增加额外的管脚，仅仅复用现有的辅助绕组采样管脚，在不改变上下分压电阻比例的基础上，同时改变上下分压电阻的阻值即可设置需要的参考阈值，并且根据原边功率管开启时漏极电位的高低对参考阈值进行修正，进而控制驱动调节模块逐步自适应调整驱动电流到设定值。

技术领域

本发明涉及开关电源技术领域，尤其涉及一种适用于CCM的自适应软驱动控制电路。

背景技术

图1为反激电路，变压器的TR0的原边侧NP0连接初级电路，输入电压Vin0输入到初级电路中，初级利用输入电压实现励磁电感的储能，并向次级传递，次级测NS0的二极管D01流过输出电流Iout1，Iout1给电容C01充电，并给负载提供能量。

为了适应大功率工作场合，反激变换器可能会工作在连续电流模式(CCM)，图2给出了工作在CCM下的反激拓扑，当次级输出电容C11上的电压VO1低于额定输出电压时，通过光耦的负反馈反馈产生反馈电压FB1升高，控制初级控制器CT1加快开关频率并提高导通占空比，以期望获得更多的能量传递到次级，维持输出的稳定。

参看图3，由于CCM下次极的续流二极管或者同步整流管在关断时难以避免地存在反向恢复电流，这时如果原边控制器的开通很快或驱动能力很强，相当于缩短了变压器的换流时间，次级漏感上的能量只能通过电容释放，会产生很大的尖峰，次级整流MOS的漏源电压尖峰严重时会损坏MOS，影响系统的可靠性，而且，在CCM下边功率MOS的开启速度过快还会引起EMI等问题，CCM下功率MOS的开启速度的设计要比DCM下的MOS开启速度的设计要更为小心和谨慎。因此，在CCM工作模式下原边MOS的开启速度需要合理设计。

现针对以上问题设计出一种适用于CCM的自适应软驱动控制电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种适用于CCM的自适应软驱动控制电路，具备降低ACDC系统在CCM工作模式下因原边开启过快而引起的次级同步整流MOS的漏源电压尖峰的优点，解决了次级同步整流MOS在次级续流关断瞬间由于反向恢复电流和原边开通速度过快导致的漏源电压尖峰过高的问题。

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：一种适用于CCM的自适应软驱动控制电路，包括由整流滤波电路、反激电路依次连接而构成的基础电路、参考阈值产生电路、校正模块的电路，其中反激电路包含外部功率MOS，该外部功率MOS为切换原边绕组的主开关管，所述参考阈值产生电路输入端与基础电路中的辅助绕组上分压电阻RUP和下分压电阻RDN的连接点相连接，参考阈值产生电路输出端连接有驱动速度检测电路，所述校正模块并联在所述参考阈值产生电路输入端与输出端之间，所述驱动速度检测电路输出端连接有动态调整电路，所述动态调整电路输出端与外部功率MOS的门极相连接；

所述校正模块的电路用于根据外部功率MOS开启时漏极电位的高低对参考阈值进行修正，进而使得驱动速度检测电路和动态调整电路逐步自适应调整驱动电流到设定值；

所述驱动速度检测电路包括第一快速比较器、延时单元、采样保持单元、第二快速比较器和积分器，所述外部功率MOS的栅极与第一快速比较器的正向输入端相连接，所述第一快速比较器的反向输入端接固定参考电压5V，所述第一快速比较器的输出与积分器的输入相连接，所述第一快速比较器的输出维持高电平的时间为Ta，Ta经过所述积分器转换成电压信号Va，Va输入到所述第二快速比较器的正向输入端，所述第二快速比较器的反向输入端与参考阈值产生电路和校正模块并联连接的输出端相连接，所述第二快速比较器的输出端与延时单元相连接，延时单元的输出端与采样保持单元相连接，所述采样保持单元输出的判决信号EN与动态调整电路相连接；