[发明专利]一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)将器件基底放入反应腔室进行抽真空，并对反应腔室进行加热并保持温度；

2)设定Al₂O₃和ZnO的原子层沉积工艺；

3)运用大循环嵌套小循环的方式设定掺杂工艺的Al₂O₃和ZnO的原子层排列顺序，使得原子层生长工艺总次数满足100到1000区间范围进行生长。

4)设定反应腔室温度对薄膜进行退火处理。

2.如权利要求1所述的一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，其特征在于，所述反应腔室进行加热并保持的温度为60～300℃。

3.如权利要求1所述的一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，其特征在于，所述Al₂O₃原子层沉积工艺，通过三甲基铝TMA和水蒸气反应生成，原子层沉积生长一层Al₂O₃原子层的通气时间和顺序：TMA/N₂/H₂O/N₂＝100～1000ms/5～45s/100～1000ms/5～45s。

4.如权利要求1所述的一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，其特征在于，所述ZnO原子层沉积工艺，通过二乙基锌DEZ和水蒸气反应生成，原子层沉积生长一层Al₂O₃原子层的通气时间和顺序：DEZ/N₂/H₂O/N₂＝100～1000ms/5～45s/100～1000ms/5～45s。

5.如权利要求1所述的一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，其特征在于，所述小循环，指掺杂工艺为生长三次ZnO原子层沉积工艺再生长一层Al₂O₃原子层沉积工艺，掺杂工艺循环n次，即小循环指循环比ZnO∶Al₂O₃＝3∶1进行n次循环；或指循环比ZnO∶Al₂O₃＝3∶2或4∶1或4∶2或5∶1或5∶2或6∶1或6∶2进行n次循环。

6.如权利要求1所述的一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，其特征在于，所述大循环，(将循环比ZnO∶Al₂O₃写成或或或或或或或指生长三次ZnO原子层沉积工艺再生长一层Al₂O₃原子层沉积工艺循环m次，接着生长四次ZnO原子层沉积工艺再生长一层Al₂O₃原子层沉积工艺循环n次)大循环指将循环N次；或指将或或或或或循环N次。以此类推此时的大循环作为小循环，嵌套在更大的循环下，如

7.如权利要求1所述的一种AZO材料纳米电阻薄膜及其制备方法，其特征在于，所述设定对薄膜进行退火处理的反应腔室温度，其温度为70～1000℃。

8.如权利要求2所述的反应腔室进行加热并保持的温度60～300℃，低温60～150℃时有利于形成非晶状态薄膜(微通道板，单通道电子倍增器等)，中温150～230℃时有利于形成亚晶态薄膜(电荷消散排放涂层等)，高温230～300℃时有利于形成晶态薄膜(避雷针，晶振等)，以应对不同的物理场景。

9.如权利要求7所述的对薄膜进行退火处理的反应腔室温度70～1000℃，低温60～150℃时有利于形成非晶状态薄膜，中温150～230℃时有利于形成亚晶态薄膜，高温230～1000℃时有利于形成晶态薄膜，以应对不同的物理场景。