[发明专利]一种三相开关磁阻电机集成型升压功率变换器及控制方法有效

专利信息
申请号: 202011491993.9 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112615539B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 蔡骏;董逸茹;束寅志;严颖;赵兴强 申请(专利权)人: 南京信息工程大学
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H02P25/092
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 田凌涛
地址: 210044 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 三相 开关 磁阻 电机 集成 升压 功率 变换器 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种三相开关磁阻电机集成型升压功率变换器的控制方法,其特征在于:三相开关磁阻电机集成型升压功率变换器包括直流电源Uin、第一IGBT晶体管S1、第一续流二极管D1、第二IGBT晶体管S2、第二续流二极管D2、第三IGBT晶体管S3、第三续流二极管D3、第四IGBT晶体管S4、第四续流二极管D4、第五IGBT晶体管S5、第五续流二极管D5、第六IGBT晶体管S6、第六续流二极管D6、第七IGBT晶体管S7、第七续流二极管D7、第八续流二极管D8、第九续流二极管D9、第十续流二极管D10、第十一续流二极管D11、第十二续流二极管D12、第一电解电容C1、第一电感L1、以及三相开关磁阻电机中的A相绕组、B相绕组、C相绕组;

其中,第一IGBT晶体管S1的发射极与第一续流二极管D1的阳极相对接,第一IGBT晶体管S1的集电极与第一续流二极管D1的阴极相对接,第二IGBT晶体管S2的发射极与第二续流二极管D2的阳极相对接,第二IGBT晶体管S2的集电极与第二续流二极管D2的阴极相对接,第三IGBT晶体管S3的发射极与第三续流二极管D3的阳极相对接,第三IGBT晶体管S3的集电极与第三续流二极管D3的阴极相对接,第四IGBT晶体管S4的发射极与第四续流二极管D4的阳极相对接,第四IGBT晶体管S4的集电极与第四续流二极管D4的阴极相对接,第五IGBT晶体管S5的发射极与第五续流二极管D5的阳极相对接,第五IGBT晶体管S5的集电极与第五续流二极管D5的阴极相对接,第六IGBT晶体管S6的发射极与第六续流二极管D6的阳极相对接,第六IGBT晶体管S6的集电极与第六续流二极管D6的阴极相对接,第七IGBT晶体管S7的发射极与第七续流二极管D7的阳极相对接,第七IGBT晶体管S7的集电极与第七续流二极管D7的阴极相对接;

直流电源Uin的正极与第一电感L1的其中一端相对接,第一电感L1的另一端、第二IGBT晶体管S2的集电极、三相开关磁阻电机中A相绕组的其中一端、第一IGBT晶体管S1的发射极四者相对接;三相开关磁阻电机中A相绕组的另一端分别对接第三IGBT晶体管S3的集电极、第八续流二极管D8的阳极;三相开关磁阻电机中B相绕组的其中一端分别对接第四IGBT晶体管S4的发射极、第九续流二极管D9的阴极,三相开关磁阻电机中B相绕组的另一端分别对接第五IGBT晶体管S5的集电极、第十续流二极管D10的阳极;三相开关磁阻电机中C相绕组的其中一端分别对接第六IGBT晶体管S6的发射极、第十一续流二极管D11的阴极,三相开关磁阻电机中C相绕组的另一端分别对接第七IGBT晶体管S7的集电极、第十二续流二极管D12的阳极;

第一IGBT晶体管S1的集电极、第八续流二极管D8的阴极、第一电解电容C1的正端、第四IGBT晶体管S4的集电极、第十续流二极管D10的阴极、第六IGBT晶体管S6的集电极、第十二续流二极管D12的阴极七者相连接;直流电源Uin的负极、第二IGBT晶体管S2的发射极、第三IGBT晶体管S3的发射极、第一电解电容C1的负端、第九续流二极管D9的阳极、第五IGBT晶体管S5的发射极、第十一续流二极管D11的阳极、第七IGBT晶体管S7的发射极八者相连接;

所述控制方法包括如下步骤:

步骤A.采集第一电解电容C1两端的输出母线电压Udc,并获得其与预设参考输出母线电压之间的误差,针对该误差进行PI处理获得参考电流值并进入步骤B;

步骤B.采集通过第一电感L1的电流IL,并获得其与参考电流值之间的误差,针对该误差依次经过PI处理、PWM处理后,获得对应于第二IGBT晶体管S2的控制信号S′2,然后进入步骤C;

步骤C.针对对应于第二IGBT晶体管S2的控制信号S′2,执行逻辑取反运算,获得对应于第一IGBT晶体管S1的控制信号S′1,然后进入步骤D;

步骤D.采集三相开关磁阻电机的HALL信号,并对其进行转子位置角计算,获得电机转子位置角θ,再结合预设电机导通角θon、预设电机关断角θoff,执行角度位置控制,获得分别对应三相开关磁阻电机A相绕组、B相绕组、C相绕组的导通信号Sa1、Sb1、Sc1,然后进入步骤E;

步骤E.应用分别对应三相开关磁阻电机B相绕组、C相绕组的导通信号Sb1、Sc1,分别构成对应于第四IGBT晶体管S4的控制信号S′4、对应于第六IGBT晶体管S6的控制信号S′6,然后进入步骤F;

步骤F.采集分别对应三相开关磁阻电机三相绕组的电流ia、ib、ic,结合电流斩波比较值ichop,执行电流斩波控制,获得分别对应三相开关磁阻电机A相绕组、B相绕组、C相绕组的电流斩波控制信号Sa2、Sb2、Sc2,然后进入步骤G;

步骤G.针对导通信号Sa1、电流斩波控制信号Sa2执行逻辑与运算,获得对应于第三IGBT晶体管S3的控制信号S′3;针对导通信号Sb1、电流斩波控制信号Sb2执行逻辑与运算,获得对应于第五IGBT晶体管S5的控制信号S′5;针对导通信号Sc1、电流斩波控制信号Sc2执行逻辑与运算,获得对应于第七IGBT晶体管S7的控制信号S′7;然后进入步骤H;

步骤H.应用分别对应第一IGBT晶体管S1、第二IGBT晶体管S2、第三IGBT晶体管S3、第四IGBT晶体管S4、第五IGBT晶体管S5、第六IGBT晶体管S6、第七IGBT晶体管S7的控制信号S′1、S′2、S′3、S′4、S′5、S′6、S′7,分别针对第一IGBT晶体管S1、第二IGBT晶体管S2、第三IGBT晶体管S3、第四IGBT晶体管S4、第五IGBT晶体管S5、第六IGBT晶体管S6、第七IGBT晶体管S7进行控制。

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