[发明专利]一种环保绿色半导体电热膜及其制备方法

权利要求书

1.一种环保绿色半导体电热膜，所述环保绿色半导体电热膜包括：金属基材、氧化锡锑电热膜以及介于所述金属基材和所述氧化锡锑电热膜之间的二氧化硅介质膜层；其中，所述金属基材为带半圆球状凸起的金属基材，所述氧化锡锑电热膜包括位于所述介质层上的氧化锡锑层以及位于所述氧化锡锑层上的氧化锡锑螺旋结构层。

2.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述氧化锡锑螺旋结构层位于氧化锡锑层的半圆球状凸起上。

3.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述金属基材选自不锈钢、铝、铜、钛及其合金的任一金属。

4.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述二氧化硅介质层和所述氧化锡锑层依次均匀地平铺在所述带半圆球状凸起的金属基材上。

5.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述氧化锡锑螺旋结构层为类三角状螺旋结构层。

6.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述二氧化硅介质层、所述氧化锡锑层以及所述氧化锡锑螺旋结构层采用真空蒸镀法制备而成。

7.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述氧化锡锑电热膜中二氧化锡和三氧化二锑的质量比为1:1至1:1.5。

8.一种如权利要求1-7所述任一项环保绿色半导体电热膜的制备方法，具体包括如下方法步骤：

(1)金属基材预处理，将金属基材进行冲压成型处理从获得带半圆球状凸起的金属基材，接着对带半圆球状凸起的金属基材进行超声清洗以去除表面污物；

(2)沉积二氧化硅介质层，将步骤(1)中的金属基材放入真空镀膜机的样品台上，以二氧化硅作为蒸镀源，关闭蒸发镀膜装置并抽真空，随后开启蒸发镀膜装置，在带半圆球状凸起的金属基材表面蒸镀一层二氧化硅介质层；

(3)沉积氧化锡锑层，以氧化锡锑作为蒸镀源，蒸镀角为90°，调节相应地蒸镀工艺，在步骤(2)中获得的二氧化硅介质层表面沉积一层氧化锡锑层；

(4)沉积螺旋结构层，旋转真空镀膜机的样品台，将蒸镀角设置为10°，在氧化锡锑层的表面继续沉积氧化锡锑层，沉积时间为T1；之后在平行样品台的平面内逆时针旋转样品台120°，二次沉积氧化锡锑层，沉积时间为T2；在平行样品台的平面内再次逆时针旋转样品台120°，再次沉积氧化锡锑层，沉积时间为T3，其中，所述T3＞T2＞T1，从而在步骤(3)获得的氧化锡锑层表面沉积得到类三角状螺旋结构层。

9.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)和步骤(4)中具体蒸镀工艺为：对真空镀膜机进行抽真空，当真空度达到4×10-3Pa以下时，开始充入O2至工作气压0.5Pa,以氧化锡锑作为蒸镀源,蒸镀电压2.5kV，电子束流为15mA，基板温度为450℃，沉积速率控制在