[发明专利]一种适用于不同外形结构被加热部件的环保绿色半导体电热膜及其制备方法

权利要求书

1.一种适用于不同外形结构被加热部件的环保绿色半导体电热膜，所述环保绿色半导体电热膜包括：金属基材、氧化锡锑电热膜以及介于金属基材和氧化锡锑电热膜之间的二氧化硅介质层；其中，所述金属基材根据被加热件的外形结构可加工成带凸起结构或者带凹坑结构的金属基材。

2.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述被加热部件外形包括凸起部或凹坑部之一或其组合，所述金属基底的凸起结构与被加热部件的凹坑部对应，所述金属基底的凹坑结构与被加热部件的凸起部对应。

3.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述凸起结构或者凹坑结构具体为半圆球状、金字塔形、半椭球形、正方体形、梯形凸起结构中的任一种或其组合。

4.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述二氧化硅介质层和所述氧化锡锑层依次均匀地平铺在所述带凸起结构或者带凹坑结构的金属基材上。

5.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述被加热部件外形包括凸起部或凹坑部以及平整部，所述带凸起结构或者带凹坑结构的金属基材包括第一凸起或凹坑结构以及第二凸起或凹坑结构，所述第一凸起或凹坑结构与被加热部件的凹坑部或凸起部外形一一对应，所述第二凸起或凹坑结构与被加热部件的平整部一一对应。

6.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述第二凸起或凹坑结构的尺寸小于第一凸起或凹坑结构。

7.根据权利要求1所述的环保绿色半导体电热膜，其特征在于：所述氧化锡锑电热膜中二氧化锡和三氧化二锑的质量比为1:1至1:1.5。

8.一种如权利要求1-7任一所述的环保绿色半导体电热膜的制备方法，具体包括如下方法步骤：

(1)金属基材预处理，根据被加热件的外形结构，将金属基材进行冲压成型处理从而得到带凸起结构或者带凹坑结构的金属基材，接着对带凸起结构或者凹坑结构的金属基材进行超声清洗以去除表面污物。

(2)沉积二氧化硅介质层，将步骤(1)中的金属基材放入真空镀膜机的样品台上，以二氧化硅作为蒸镀源，关闭蒸发镀膜装置并抽真空，随后开启蒸发镀膜装置，在带凸起结构或者带凹坑结构的金属基材表面蒸镀一层二氧化硅介质层。

(3)沉积氧化锡锑层，以氧化锡锑作为蒸镀源，调节相应地蒸镀工艺，在步骤(2)中获得的二氧化硅介质层表面沉积一层氧化锡锑层，从而获得环保绿色半导体电热膜。

9.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中具体蒸镀工艺为：对真空镀膜机进行抽真空，当真空度达到4×10^-3Pa以下时，开始充入O₂至工作气压0.5Pa,以氧化锡锑作为蒸镀源，蒸镀电压2.5kV，电子束流为15mA，基板温度为450℃，沉积速率控制在