[发明专利]一种高功率快响应热发射红外准直光源结构在审
| 申请号： | 202011492358.2 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112510027A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 赖建军;江湃;杨静;曹伟杰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 436044 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 响应 发射 红外 光源 结构 | ||
1.一种高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，包括：
散热基座，用于安装热发射芯片；
热发射芯片，用于朝向红外准直模块发射红外光束；所述热发射芯片设置于所述散热基座上；
红外准直模块，用于对所述热发射芯片发射的红外光束进行准直；所述红外准直模块与所述热发射芯片相对；
其中，所述热发射芯片与所述红外准直模块之间通过间隔层连接，或者，所述散热基座与所述红外准直模块之间通过支撑架连接。
2.根据权利要求1所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述热发射芯片上设置有热发射阵列，所述红外准直模块上设置有红外准直阵列，所述热发射阵列与所述红外准直阵列对应设置。
3.根据权利要求2所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述热发射芯片上对应所述热发射阵列处设置有空腔。
4.根据权利要求2所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述热发射阵列与所述红外准直阵列之间形成空隙。
5.根据权利要求4所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述空隙的宽度大于等于100μm。
6.根据权利要求4或5所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述空隙的宽度大于等于300μm。
7.根据权利要求2所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述热发射阵列表面设置有宽谱段高发射率涂层或微纳光子学结构层。
8.根据权利要求2所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述热发射阵列中每个热发射单元的热响应时间小于20ms，所述热发射阵列中每个热发射单元的面积小于1mm2。
9.根据权利要求2所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述红外准直阵列为曲面阵列。
10.根据权利要求9所述的高功率快响应热发射红外准直光源结构，其特征在于，所述曲面阵列表面镀制有干涉膜。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学，未经华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011492358.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
