[发明专利]磁阻式随机存取存储器

权利要求书

1.一种磁阻式随机存取存储器，其包含：

第一位线；

第二位线；以及

第一存储器单元，其包含：

第一非易失性存储单元，其包含：

第一端，耦接在该第一位线；以及

第二端；

第二非易失性存储单元，其包含：

第一端，耦接在该第二位线；以及

第二端；

第一N型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第一非易失性存储单元的该第二端；

第二端；以及

控制端；

第二N型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第二非易失性存储单元的该第二端；

第二端；以及

控制端；

第三N型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第一N型晶体管的该第一端；

第二端，耦接在该第二N型晶体管的该第一端；以及

控制端；

第一P型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第一N型晶体管的该第二端；

第二端，耦接在该第一N型晶体管的该第一端；以及

控制端；

第二P型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第二N型晶体管的该第二端；

第二端，耦接在该第二N型晶体管的该第一端；以及

控制端；以及

第三P型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第三N型晶体管的该第二端；

第二端，耦接在该第三N型晶体管的该第一端；以及

控制端。

2.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其中：

该第一N型晶体管、该第二N型晶体管和该第三N型晶体管的该控制端耦接在第一字线；且

该第一P型晶体管、该第二P型晶体管和该第三P型晶体管的该控制端耦接在第二字线。

3.如权利要求1所述的磁阻式随机存取存储器，其还包含第二存储器单元，其包含：

第三非易失性存储单元，其包含：

第一端，耦接在该第一位线；以及

第二端；

第四非易失性存储单元，其包含：

第一端，耦接在该第二位线；以及

第二端；

第四N型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第三非易失性存储单元的该第二端；

第二端；以及

控制端；

第五N型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第四非易失性存储单元的该第二端；

第二端；以及

控制端；

第六N型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第四N型晶体管的该第一端；

第二端，耦接在该第五N型晶体管的该第一端；以及

控制端；

第四P型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第四N型晶体管的该第二端；

第二端，耦接在该第四N型晶体管的该第一端；以及

控制端；

第五P型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第五N型晶体管的该第二端；

第二端，耦接在该第五N型晶体管的该第一端；以及

控制端；以及

第六P型晶体管，其包含：

第一端，耦接在该第六N型晶体管的该第二端；

第二端，耦接在该第六N型晶体管的该第一端；以及

控制端。

4.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器，其中：

该第一N型晶体管、该第二N型晶体管、该第三N型晶体管、该第四N型晶体管、该第五N型晶体管和该第六N型晶体管的该控制端耦接在第一字线；且

该第一P型晶体管、该第二P型晶体管、该第三P型晶体管、该第四P型晶体管、该第五P型晶体管和该第六P型晶体管的该控制端耦接在第二字线。

5.如权利要求3所述的磁阻式随机存取存储器，其中该第一N型晶体管的该第二端及该第二N型晶体管的该第二端耦接在第一源极线，而该第四N型晶体管的该第二端及该第五N型晶体管的该第二端耦接在第二源极线。