[发明专利]片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法

权利要求书

1.一种片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：所述片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法包括如下步骤：

S1：提供片状氧化镥激光晶体，提供平面研抛机，所述平面研抛机包括载物盘和抛光盘，将片状氧化镥激光晶体粘接在载物盘上；

S2：在抛光盘上粘贴好聚氨酯抛光垫，将载物盘有片状氧化镥激光晶体的一面偏心倒置于聚氨酯抛光垫上，所述片状氧化镥激光晶体在随着载物盘的自转同时也随着载物盘在沿抛光盘半径方向摆动，此时抛光盘以相同的转动方向旋转以抛光，抛光时滴加一号抛光液；

S3：将抛光盘上的聚氨酯抛光垫换成复合抛光垫，将载物盘有片状氧化镥激光晶体的一面偏心倒置于复合抛光垫上，所述片状氧化镥激光晶体在随着载物盘的自转同时也随着载物盘在沿抛光盘半径方向摆动，此时抛光盘以相同的转动方向旋转以抛光，抛光时滴加二号抛光液；

S4：将片状氧化镥激光晶体下盘后翻转，然后重新粘接到载物盘上，重复步骤S2和S3，直至抛光至预定的材料余量；

S5：配置乙二醇溶液，将两面抛光完成后的片状氧化镥激光晶体置于超声设备中利用乙二醇溶液清洗，并静止干燥；

S6：将清洗完成后干燥后的片状氧化镥激光晶体置于恒温退火设备中进行退火，除去片状氧化镥激光晶体内部的残余应力。

2.根据权利要求1所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S1中片状氧化镥激光晶体尺寸为10mm×10mm～40mm×40mm的方形片或者的圆形片，其均匀的粘接在载物盘上同一圆周上。

3.根据权利要求1所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S1中的粘接方式为采用石蜡或黄蜡粘接。

4.根据权利要求1所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S2抛光时压力为15-50KPa，载物盘转速为30-70RPM，抛光盘转速与载物盘的转速一致，载物盘沿抛光盘半径方向的速度设置为正弦变化，抛光时间60-80min。

5.根据权利要求4所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S2中载物盘沿抛光盘半径速度按变化，A取5-20cm/s，T取10-20s。

6.根据权利要求1所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S2中一号抛光液包括磨粒与液体，其中磨粒为二氧化硅，粒径为0.5-2um，浓度为0.05-0.08g/ml；液体包括基液、氧化剂、螯合剂，基液为去离子水，氧化剂为双氧水，含量为0.04-0.07g/ml，螯合剂为柠檬酸、氨基酸中的一种，含量为0.05-0.10g/ml。

7.根据权利要求1所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S3抛光压力为15-30KPa，载物盘转速为60-100RPM，抛光时间为30-40min。

8.根据权利要求1所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S3中复合抛光垫为聚氨酯抛光垫IC1000和SUBA400抛光垫搭接而成，聚氨酯抛光垫放置在SUBA400抛光垫上面，SUBA400抛光垫粘贴在抛光盘上。

9.根据权利要求1所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：步骤S3中二号抛光液包括磨粒和液体，其中磨粒为硅溶胶，粒径为30-50nm，浓度为0.04-0.05g/ml；液体包括基液、氧化剂、螯合剂，基液为去离子水，氧化剂为双氧水，含量为0.04-0.07g/ml，螯合剂为柠檬酸、氨基酸中的一种，含量为0.05-0.10g/ml。

10.根据权利要求9所述的片状氧化镥激光晶体化学机械抛光方法，其特征在于：所述步骤S3中二号抛光液的液体还包括电解质，电解质为Na₂O溶液，用以将二号抛光液浓度调整到pH值9-10。