[发明专利]倒装芯片再分配层中的黄铜涂覆的金属

权利要求书

1.一种封装件，包括：

管芯；以及

再分配层，所述再分配层耦接至所述管芯，所述再分配层包括：

金属层；

邻接所述金属层的黄铜层；以及

邻接所述黄铜层的聚合物层。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述封装件为晶片芯片级封装件WCSP。

3.根据权利要求1所述的封装件，其中所述聚合物层包含聚酰亚胺材料。

4.根据权利要求1所述的封装件，其中所述黄铜层具有在0.3微米至4.0微米的范围内的厚度。

5.根据权利要求1所述的封装件，进一步包括邻接所述黄铜层的凸点下金属化层UBM和邻接所述UBM的焊锡凸点。

6.根据权利要求1所述的封装件，进一步包括邻接所述金属层的凸点下金属化层UBM和邻接所述UBM的焊锡凸点。

7.根据权利要求1所述的封装件，进一步包括邻接所述黄铜层的焊锡凸点。

8.根据权利要求1所述的封装件，进一步包括邻接所述金属层和所述聚合物层的焊锡凸点。

9.根据权利要求1所述的封装件，其中所述金属层为铜层。

10.根据权利要求1所述的封装件，进一步包括多个金属塞，所述多个金属塞可通信地耦接至所述管芯和所述聚合物层。

11.一种封装件，包括：

管芯，所述管芯具有键合焊盘；以及

再分配层，所述再分配层耦接至所述管芯，所述再分配层包括：

聚合物层，所述聚合物层邻接所述管芯；以及

金属层，所述金属层至少部分地定位在所述聚合物层内，所述金属层邻接黄铜层。

12.根据权利要求11所述的封装件，其中所述封装件包括晶片芯片级封装件WCSP。

13.根据权利要求11所述的封装件，进一步包括凸点下金属化层UBM，所述UBM具有邻接焊锡凸点的第一表面和邻接所述黄铜层的第二表面。

14.根据权利要求11所述的封装件，进一步包括凸点下金属化层UBM，所述UBM具有邻接焊锡凸点的第一表面和邻接所述金属层的第二表面。

15.根据权利要求11所述的封装件，其中所述黄铜层具有在0.3微米至4.0微米的范围内的厚度。

16.根据权利要求11所述的封装件，其中所述金属层包含铜。

17.根据权利要求11所述的封装件，进一步包括邻接所述黄铜层和所述聚合物层的焊锡凸点。

18.根据权利要求11所述的封装件，进一步包括邻接所述金属层和所述聚合物层的焊锡凸点。

19.根据权利要求11所述的封装件，其中所述金属层和所述黄铜层形成柱，所述柱延伸越过由所述聚合物层的表面形成的平面。

20.根据权利要求19所述的封装件，其中所述黄铜层邻接所述金属层的表面，所述金属层的表面大致平行于所述管芯的表面。

21.一种用于制造封装件的方法，包括：

将铜层定位在管芯上方；

将锌层定位在所述铜层上；

加热所述锌层和所述铜层以产生黄铜层，所述黄铜层邻接所述铜层；以及

将聚合物层定位成邻接所述黄铜层。