[发明专利]一种多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A1、制备多重分级结构磷酸锌纳米基底HZnPNS；

A2、以HZnPNS为模板，在其表面浇注液体聚二甲基硅氧烷预聚物及其交联剂，经加热固化成型，复制HZnPNS的表面结构；

A3、将固化的聚二甲基硅氧烷从HZnPNS表面剥离，洗涤、干燥后即得所述多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底HPNS。

2. 根据权利要求1所述的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法，其特征在于：所述步骤A1中，制备多重分级结构磷酸锌纳米基底 HZnPNS的步骤为：

B1、将干净的基底表面用等离子体处理后均匀涂覆醋酸锌的乙醇溶液，最后，放于200~300℃加热台加热，产生一层氧化锌种子；

B2、将铺有氧化锌种子的基底倒置于硝酸锌和六亚甲基四胺水溶液中，在90~100℃下生长，得到氧化锌纳米线基底；

B3、将氧化锌纳米线基底在含镁离子的生理等渗磷酸缓冲液中，25~37℃孵育至基底表面铺满多重分级结构。

3.根据权利要求1所述的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法，其特征在于：所述步骤A2中，聚二甲基硅氧烷预聚物与其交联剂的质量比为8-15:1。

4.根据权利要求1所述的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的制备方法，其特征在于：所述步骤A2中，固化温度为50~75℃。

5.一种如权利要求1-4中任一项所述的制备方法制备的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的应用，其特征在于：利用所述多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底形成细胞图案。

6.根据权利要求5所述的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的应用，其特征在于：所述细胞图案化的方法，包括以下步骤：

C1、在HPNS表面涂覆可牺牲的光刻胶，而后光刻得到光刻胶图案化的HPNS；

C2、将光刻胶图案化的HPNS表面和多巴胺溶液孵育，进行聚多巴胺修饰；

C3、去除HPNS表面的光刻胶及聚多巴胺，得到聚多巴胺图案化修饰的HPNS；

C4、将聚多巴胺图案化修饰的HPNS和细胞悬浮液孵育，洗涤后，即可以得到图案化细胞阵列。

7.根据权利要求6所述的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的应用，其特征在于：所述步骤C1中，光刻胶为AZ4620。

8. 根据权利要求6所述的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的应用，其特征在于：所述步骤C2中，多巴胺溶液的规格为2mg/mL，10 mM Tris buffer，pH8.5；孵育温度为25-37℃。

9.根据权利要求6所述的多重分级结构聚二甲基硅氧烷纳米基底的应用，其特征在于：所述步骤C3中，采用溶剂溶解光刻胶，所述溶剂为丙酮。