[发明专利]一种含氟酚醛树脂及其制备方法以及采用其的光刻胶组合物在审

专利信息
申请号: 202011495554.5 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN114644740A 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 李青松;刘永祥;王旭;韩红彦 申请(专利权)人: 合肥鼎材科技有限公司
主分类号: C08G8/14 分类号: C08G8/14;C08G8/08;G03F7/004
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 230012 安徽省合肥市新站*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 酚醛树脂 及其 制备 方法 以及 采用 光刻 组合
【说明书】:

发明涉及酚醛树脂及其在液晶及有机电致发光显示技术领域的应用,具体地涉及一种含氟酚醛树脂及其制备方法以及采用其的光刻胶组合物。本发明提供一种含氟酚醛树脂,该含氟酚醛树脂的分子量为3000‑15000,所述含氟酚醛树脂具有如结构式(A)所示的结构,且在式(A)中非羟基基团上的任意位置带有至少一个氟取代基。本发明的这种含氟酚醛树脂具有高的碱溶解速率,C‑F键的存在提高了分子链的刚性同时具有一定的疏水性,使得包含本含氟酚醛树脂的光刻胶在非曝光区域溶解抑制性增强,利于提升残膜率和图像解析度。

技术领域

本发明涉及酚醛树脂及其在液晶及有机电致发光显示技术领域的应用,具体地涉及一种含氟酚醛树脂及其制备方法以及采用其的光刻胶组合物。

背景技术

正性光刻胶在液晶面板、OLED(有机电致发光)面板的TFT(薄膜晶体管)制作工艺中用于保护刻蚀线路,随着面板技术的发展,TFT光刻胶朝着高感度、高解像度技术方向发展。高感度光刻胶一般具有较低的分子量、较高的亲水基团密度,在残膜率性能方面表现不佳。光刻胶残膜率不足会导致图形解像度及刻蚀工艺图形形貌变差,影响产品良率。

发明内容

本发明要解决的问题是,为了进一步满足对薄膜晶体管(TFT)光刻胶的高感度、高解像度、高留膜率等需求,亟需开发新的光刻胶组合物,以便得到性能良好的TFT液晶面板或OLED面板。

为了解决上述现有技术中的问题,发明人潜心研究,发现将含氟酚醛树脂作为一种必需组分添加到光刻胶组合物中,能够在保证高感度、高解像度的同时,保证高的留膜率。

具体说,本发明提供一种含氟酚醛树脂,该含氟酚醛树脂的分子量为3000-15000,所述含氟酚醛树脂为由式(I)、式(Ⅱ)和式(Ⅲ)所示的结构单体构成的具有如式(A)所示结构的无规共聚物,且在式(A)中非羟基基团上的任意位置带有至少一个氟取代基:

式(A)中,M为下式(Ⅰ)所示的结构,Q为下式(Ⅱ)所示的结构:

式A中,R13选自氢、取代或未取代的C1-C18的脂烃基;n1、n2分别独立为大于1小于100的整数,且n1/(n1+n2)的值为0.1-0.5之间;

式(I)中,R1-R5、Ra-Re各自独立选自氢、羟基、取代或未取代的C1-C30的脂烃基、卤素原子,R6、R7各自独立选自氢、取代或未取代的C1-C30的脂烃基、取代或未取代的C6-C60的芳烃基、卤素原子,R8为单键、取代或未取代的C1-C30的脂烃基、取代或未取代的C6-C60的芳烃基,R9、R10各自独立选自氢、取代或未取代的C1-C30的脂烃基、取代或未取代的C6-C60的芳烃基、卤素原子;

且R1-R5中至少1个为羟基,或者Ra-Re中至少1个为羟基,R6与R7不同时为取代或未取代的C6-C60的芳烃基,R9与R10不同时为取代或未取代的C6-C60的芳烃基;

式(II)中,R11、R12各自独立选自氢、取代或未取代的C1-C30的脂烃基、羟基;

上述取代的脂烃基、取代的芳烃基上的取代基团各自独立选自卤素、C1-C10的链状烷基、C3-C10的环烷基、C6-C30的芳基、C3-C30的杂芳基中一种。

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