[发明专利]在激光释放下使用永久键的重构晶片到晶片键合

说明书

本申请涉及在激光释放下使用永久键的重构晶片到晶片键合。在载体晶片上方形成非弹性材料层。在所述非弹性材料层上方形成氧化物层。使用氧化物到氧化物键将多个集成电路裸片键合在所述氧化物层上以形成重构晶片。

技术领域

本公开的实施例大体上涉及半导体制造，且更明确来说，涉及晶片到晶片键合。

背景技术

集成电路(IC)裸片堆叠可包含将多个裸片安装在彼此上方的工艺，其中堆叠式裸片最终被封装于单个半导体封装中以形成离散电装置。对堆叠式IC裸片的采用继续增加，以便减小整个电装置的占用面积及改进电装置的电性能。

发明内容

一方面，本公开涉及一种方法，其包括：在载体晶片上方形成非弹性材料层；在所述非弹性材料层上方形成氧化物层；及使用氧化物到氧化物键将多个集成电路裸片键合在所述氧化物层上以形成重构晶片。

另一方面，本公开涉及一种设备，其包括：载体晶片；非弹性材料层，其安置在所述载体晶片上方；氧化物层，其安置在所述非弹性材料层上方；及多个集成电路裸片，其经由氧化物到氧化物键键合到所述氧化物层。

在另一方面中，本公开涉及一种方法，其包括：在载体晶片上形成金属层；在所述金属层上形成氧化物层；及使用氧化物到氧化物熔融键合操作将多个集成电路裸片键合在所述氧化物层上，所述氧化物到氧化物熔融键合操作在所述多个集成电路裸片与所述氧化物层之间产生氧化物到氧化物键且形成重构晶片。

附图说明

从下文给出的详细描述及从本公开的各种实施例的附图将更加完全地理解本公开。然而，图式不应理解为将本公开限于特定实施例，而仅是为了解释及理解。

图1A说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，其包含用于在载体晶片上形成非弹性材料层及氧化物层的第一操作。

图1B说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，其包含用于形成对准特征的第二操作。

图2说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，其包含用于将IC裸片键合到载体晶片的第三操作。

图3A到3B说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，其包含用于在IC裸片上方形成电介质层的第四操作。

图4说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，其包含用于键合重构晶片与另一晶片的第五操作。

图5说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，其包含用于引导激光源装置穿过载体晶片的第六操作。

图6说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，包含用于移除载体晶片的第七操作。

图7说明根据本公开的一些实施例的用于执行晶片到晶片键合的制造工艺，包含用于移除非弹性材料层及氧化物层的第八操作。

图8是根据本公开的一些实施例的用于晶片到晶片键合的制造工艺的流程图。

图9是根据本公开的实施例制造的计算装置。

具体实施方式

在一些常规制造系统中，裸片堆叠包含制造具有IC裸片的一或多个晶片。晶片被分割且经分割IC裸片经分类以找出起作用的“好”裸片及去除不起作用的“坏”裸片。两个起作用的经分割IC裸片经选择且安装在彼此顶部上。堆叠起作用的经分割IC裸片会产生高良率但低处理量。

非重构晶片可指代电子电路(例如多个IC裸片)直接制造在其上的半导体晶片。重构晶片可指代具有附接到衬底的IC裸片的晶片。重构晶片的IC裸片可为先前已经制造在非重构晶片上，从非重构晶片分割及物理地附接到重构晶片的衬底的IC裸片。