[发明专利]一种硼掺杂选择性发射极电池及其制备方法

权利要求书

1.一种硼掺杂选择性发射极电池，其特征是，包括N型晶硅（1）、设于所述N型晶硅（1）正面的两个正电极（2）和设于所述N型晶硅（1）背面的两个负电极（3），所述N型晶硅（1）的背面设有SiO₂层（4），所述SiO₂层（4）上设有P掺杂多晶硅层（5）。

2.根据权利要求1所述的一种硼掺杂选择性发射极电池，其特征是，所述N型晶硅（1）的正面由内向外依次设有P+层（7）、AlO_x层（8）及SiN_x层（6）；所述正电极（2）穿过SiNx层（6）、AlOx层（8）及P+层（7）。

3.根据权利要求2所述的一种硼掺杂选择性发射极电池，其特征是，所述正电极（2）与N型晶硅（1）之间的接触区域设有P++层（9）。

4.根据权利要求1或2所述的一种硼掺杂选择性发射极电池，其特征是， 所述N型晶硅（1）的背面由内向外依次设有SiO₂层（4）、P掺杂多晶硅层（5）及SiN_x层（6）；所述负电极（3）依次穿过所述SiN_x层（6）及部分厚度的P掺杂多晶硅层（5），所述负电极（3）与所述P掺杂多晶硅层（5）相接触。

5.根据权利要求3所述的一种硼掺杂选择性发射极电池，其特征是，所述负电极（3）插入P掺杂多晶硅层（5）的深度占入P掺杂多晶硅层（5）总厚度的60-80%。

6.根据权利要求1所述的一种硼掺杂选择性发射极电池，其特征是，所述正电极（2）为Ag-Al浆；所述负电极（3）为Ag浆。

7.一种如权利要求1-6任一所述的硼掺杂选择性发射极电池的制备方法，其特征是，包括如下制备步骤：

1)采用N型制绒后的硅片，采用扩散等方式制备硼掺杂P-N结；

2)采用链式单面刻蚀去除背面BSG及扩散结，保留正面BSG；

3)采用LPCVD设备制备隧穿氧化层、P掺杂多晶硅等，并经碱刻蚀去除绕镀多晶硅，保留正面BSG层及背面PSG层，得到半成品电池；

4)在片源正表面金属栅线对应位置处印刷硼浆并烘干，其中硼浆印刷线宽100-200um；

5)采用激光对硼浆区域进行激光掺杂；

6)采用湿化学清洗去除硼浆、BSG及PSG等，得到洁净表面的半成品电池；

7)正面沉积AlO_x、氮化硅叠层钝化膜，背面沉积氮化硅钝化膜；

8)正面印刷Ag-Al浆，背面印刷Ag浆，经烧结后即可得到成品电池。

8.根据权利要求7所述的一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法，其特征是，步骤1）中，硼掺杂P-N结的方阻为100-200Ω/sq.，结深0.3-0.6um，表面浓度＜2E19/cm³。

9.根据权利要求7所述的一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法，其特征是，步骤5）中，激光掺杂后方阻为50-80Ω/sq.，结深0.7-1.2um，表面浓度＞4E19/cm³。

10.根据权利要求7所述的一种硼掺杂选择性发射极电池的制备方法，其特征是，步骤5）中，激光掺杂的参数：激光线宽60-120um，能量15-35W，扫描速度2-10m/s。