[发明专利]一种反应腔装置及其工作方法在审

专利信息
申请号: 202011496224.8 申请日: 2020-12-17
公开(公告)号: CN112447488A 公开(公告)日: 2021-03-05
发明(设计)人: 邱勇;孙晓东 申请(专利权)人: 上海谙邦半导体设备有限公司;上海讯颖电子科技有限公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32;H01L21/67
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201306 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 反应 装置 及其 工作 方法
【权利要求书】:

1.一种反应腔装置,其特征在于,包括:

反应腔主体;

位于所述反应腔主体内的晶圆承载平台,所述晶圆承载平台的表面适于放置晶圆;

环绕所述晶圆承载平台的缓冲环,所述缓冲环适于延长反应源粒子沿着晶圆表面向外横向运动的路径。

2.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,所述缓冲环包括:环绕所述晶圆承载平台的上缓冲环。

3.根据权利要求2所述的反应腔装置,其特征在于,所述缓冲环仅包括上缓冲环,所述上缓冲环为实体结构,所述上缓冲环与所述反应腔主体的内壁间隔。

4.根据权利要求2所述的反应腔装置,其特征在于,所述缓冲环还包括:位于所述上缓冲环的底部且环绕所述晶圆承载平台的下缓冲环。

5.根据权利要求4所述的反应腔装置,其特征在于,所述上缓冲环与所述反应腔主体的内壁间隔,所述下缓冲环与所述晶圆承载平台间隔,所述上缓冲环在反应腔主体的底面的投影与所述下缓冲环在反应腔主体的底面的投影具有重叠区域;所述反应腔装置还包括:位于所述下缓冲环底部的高度调节器,所述高度调节器适于调节所述下缓冲环至所述上缓冲环之间的纵向距离。

6.根据权利要求5所述的反应腔装置,其特征在于,所述上缓冲环为实体结构,所述下缓冲环为实体结构。

7.根据权利要求4所述的反应腔装置,其特征在于,所述上缓冲环中具有若干间隔的第一槽;所述下缓冲环中具有若干间隔的第二槽;第一槽的延伸方向与第二槽的延伸方向不同;所述反应腔装置还包括:位于所述下缓冲环底部的角度调节器,所述角度调节器适于调节所述下缓冲环绕所述晶圆承载平台运动以调节第一槽和第二槽的重叠区域的位置。

8.根据权利要求7所述的反应腔装置,其特征在于,所述第一槽的形状为长条状,所述第一槽的延伸方向与所述上缓冲环的径向方向之间具有锐角夹角;所述第二槽的形状为长条状,所述第二槽的延伸方向平行于所述下缓冲环的径向方向平行。

9.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,所述缓冲环的材料为石英、陶瓷、裸铝或阳极氧化铝。

10.根据权利要求1所述的反应腔装置,其特征在于,还包括:位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元;所述反应腔主体的顶部设置有隔离栅网;所述感性耦合射频单元位于所述隔离栅网的上方;贯穿所述反应腔主体的底壁的出气口。

11.一种如权利要求1至10任意一项所述的反应腔装置的工作方法,其特征在于,包括:

将晶圆放置在所述晶圆承载平台的表面之后,进行第一工艺反应;

在进行第一工艺反应的过程中,所述缓冲环延长反应源粒子沿着晶圆表面向外横向运动的路径。

12.根据权利要求11所述的反应腔装置的工作方法,其特征在于,所述缓冲环包括:环绕所述晶圆承载平台的上缓冲环;位于所述上缓冲环的底部且环绕所述晶圆承载平台的下缓冲环;反应腔装置还包括:位于所述下缓冲环底部的高度调节器;所述上缓冲环与所述反应腔主体的内壁间隔,所述下缓冲环与所述晶圆承载平台间隔,所述上缓冲环在反应腔主体的底面的投影与所述下缓冲环在反应腔主体的底面的投影具有重叠区域;

所述反应腔装置的工作方法还包括:在进行第一工艺反应的过程中,采用所述高度调节器调节所述下缓冲环至所述上缓冲环之间的纵向距离。

13.根据权利要求11所述的反应腔装置的工作方法,其特征在于,所述缓冲环包括:环绕所述晶圆承载平台的上缓冲环,所述上缓冲环中具有若干间隔的第一槽;位于所述上缓冲环的底部且环绕所述晶圆承载平台的下缓冲环,所述下缓冲环中具有若干间隔的第二槽,第一槽的延伸方向与第二槽的延伸方向不同;所述反应腔装置还包括:位于所述下缓冲环底部的角度调节器;

所述反应腔装置的工作方法还包括:在进行第一工艺反应的过程中,采用所述角度调节器调节所述下缓冲环绕所述晶圆承载平台运动,以调节第一槽和第二槽的重叠区域的位置。

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