[发明专利]超高频表贴陶瓷垂直互联结构及封装结构

权利要求书

1.超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，包括：

陶瓷介质；

正面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质正面上，所述正面引脚焊盘周围设有GND区域；

背面引脚焊盘，设置在所述陶瓷介质背面上，与所述正面引脚焊盘平行设置，所述背面引脚焊盘周围设有GND区域；以及

类同轴结构，设于所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间，包括平行设置的射频信号垂直过渡孔和接地垂直过渡孔，所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通，所述接地垂直过渡孔为多个，且均围绕所述射频信号垂直过渡孔的圆周向均匀布设；所述射频信号垂直过渡孔的轴向与所述正面引脚焊盘平面垂直设置。

2.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面引脚焊盘为上窄下宽的弧形构件，且弧形构件呈凸字型。

3.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面引脚焊盘包括：

正面焊盘，设置在所述射频信号垂直过渡孔正面并与所述射频信号垂直过渡孔连通；

键合焊盘，用于与芯片键合；以及

过渡段，设置并连接在所述正面焊盘和所述键合焊盘之间，所述正面焊盘、所述键合焊盘和所述过渡段组成形成凸字型结构。

4.如权利要求3所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面焊盘为圆形构件，所述键合焊盘和所述过渡段均呈长方形构件。

5.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述射频信号垂直过渡孔为内导体，多个所述接地垂直过渡孔为外导体，所述射频信号垂直过渡孔和多个所述接地垂直过渡孔共同形成以所述陶瓷介质为基材的类同轴结构。

6.如权利要求3所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述背面引脚焊盘包括：

背面焊盘，设置在所述射频信号垂直过渡孔背面并与所述射频信号垂直过渡孔连通；以及

焊接段，与所述背面焊盘连接，并用于与PCB板焊接配合连接。

7.如权利要求6所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述正面焊盘和所述背面焊盘之间通过所述射频信号垂直过渡孔连通并实现信号传递。

8.如权利要求6所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述背面焊盘为圆形构件，所述焊接段为长方形构件。

9.如权利要求1所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构，其特征在于，所述陶瓷介质的厚度为0.5mm,所述正面引脚焊盘和所述背面引脚焊盘的镀层均为镍钯金，镍钯金的厚度为0.065mm。

10.封装结构，其特征在于，包括如权利要求1-9中任意一项所述的超高频表贴陶瓷垂直互联结构。