[发明专利]一种用热板制备二维WS2 在审
| 申请号： | 202011496896.9 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112647042A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 张礼杰;牛丽娟;豆振军;董幼青;邹超 | 申请（专利权）人： | 温州大学新材料与产业技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/06;C23C14/08;C23C16/30;H01L21/34 |
| 代理公司： | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 孙莉莉 |
| 地址： | 325000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用热板 制备 二维 ws base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种用热板制备二维WS2/PbI2垂直异质结的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)通过热蒸发和具有镂空图案的掩膜版在300nm SiO2/Si基底上蒸镀12nm WO3源，得到具有图案的12nm WO3源的SiO2/Si基底；
(2)用化学气相沉积的方法，将带有图案的SiO2/Si基底放置在管式炉温区中心，通入300sccm氩气，10-20min后，调整氩气流量为12sccm，将炉温升温至1000℃，通入20sccm硫化氢气体，反应90-100s，打开炉盖降温并且停止通入硫化氢气体，得到WS2三角片；
(3)将上述CVD制备的WS2三角片作为基底制备异质结。将加热台温度设置为330℃，在加热台上放置载玻片形成微间距，待温度达到330℃时放置PbI2粉末和WS2三角片于载玻片上，产生温度差，WS2基底片和PbI2之间设有间距，产生类真空环境，反应1-2min，得到二维WS2/PbI2垂直异质结。
2.根据权利要求1所述的一种用热板制备二维WS2/PbI2垂直异质结的制备方法，其特征在于：炉温以25℃/分钟升温至1000℃。
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