[发明专利]一种连续生产乙硅烷的方法有效
| 申请号： | 202011497879.7 | 申请日： | 2020-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN112479211B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 陈涵斌;陈刚军;杨高明 | 申请（专利权）人： | 烟台万华电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/04 | 分类号： | C01B33/04 |
| 代理公司： | 北京信诺创成知识产权代理有限公司 11728 | 代理人： | 王笑康;陈悦军 |
| 地址： | 264006 山东省烟台市经济技*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 连续生产 硅烷 方法 | ||
1.一种连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，等离子体发生器位于反应器上方，将硅粉和镁粉连续通入产生热等离子体的所述等离子体发生器内发生合金化反应生成硅化镁粉体，并将所述硅化镁粉体连续通入所述反应器内的铵盐溶液中反应生成含乙硅烷的产物；所述热等离子体 的中心温度为2500～5000℃。
2.根据权利要求1所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述硅粉和所述镁粉的平均粒径范围分别为1-650微米。
3.根据权利要求2所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述硅粉和所述镁粉的平均粒径范围分别为100-350微米。
4.根据权利要求1所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述硅粉和镁粉的质量比范围为1:1.5-1:2.5。
5.根据权利要求4所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述硅粉和镁粉的质量比范围为1:1.7-1:1.9。
6.根据权利要求1-5任一项所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述热等离子体的放电气体主要成分为氢气。
7.根据权利要求6所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述放电气体中氢气的体积分数大于等于50％。
8.根据权利要求6所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述放电气体为氢气和惰性气体的混合气体。
9.根据权利要求8所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气。
10.根据权利要求6所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述硅粉和镁粉通过气体携带通入所述等离子体发生器，所述气体为惰性气体或为与所述热等离子体的放电气体相同的气体。
11.根据权利要求10所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述惰性气体为氦气、氖气、氩气、氪气、氙气中的一种或多种。
12.根据权利要求1-5任一项所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述热等离子体采用的放电方式为直流电弧或高频感应放电。
13.根据权利要求1-5任一项所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述热等离子体的中心温度为3300～3800℃。
14.根据权利要求1-5任一项所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述铵盐为氯化铵、溴化铵、硫酸铵中的一种。
15.根据权利要求1-5任一项所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述铵盐溶液的溶剂为含有氨基或胺基的物质。
16.根据权利要求15所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述铵盐溶液的溶剂为氨、肼和/或乙二胺。
17.根据权利要求1-5任一项所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述反应器内的反应温度为-30℃至80℃。
18.根据权利要求17所述的连续生产乙硅烷的方法，其特征在于，所述反应器内的反应温度为2-60℃。
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