[发明专利]图案形成方法

权利要求书

1.一种图案形成方法，所述图案形成方法包括：

(a)在基底上形成底层，其中所述底层的厚度为5微米或更大；

(b)在所述底层上形成光致抗蚀剂层，其中所述光致抗蚀剂层由光致抗蚀剂组合物形成，所述光致抗蚀剂组合物包含含硅聚合物、光酸产生剂和溶剂，其中所述含硅聚合物包含作为聚合单元的式(I)的单体：

其中：R¹独立地选自H、F、OH、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6羟基-卤代烷基、C1-C6烷氧基、或C1-C6卤代烷氧基；R²独立地选自H或F；R³独立地选自H、F、CH₃、CF₃、CHF₂、或CH₂F；R⁴包括酸可裂解基团；并且m是0至2的整数；

(c)将所述光致抗蚀剂层以图案方式暴露于活化辐射；

(d)使暴露的光致抗蚀剂层显影以形成光致抗蚀剂图案；以及

(f)使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模将所述光致抗蚀剂图案的图案转印到所述底层中。

2.如权利要求1所述的图案形成方法，其中：R⁴独立地选自-C(O)OC(R⁵)₃或-C(R⁶)₂OR⁷，其中R⁵独立地选自H、C1-C20烷基、C3-C20杂烷基、C6-C20芳基、C4-C20杂芳基、或C7-C20芳氧基烷基，除了氢之外，其中的每一个是取代或未取代的，并且两个或更多个R⁵任选地一起形成环；R⁶独立地选自H、C1-C12烷基、C3-C12杂烷基、C6-C14芳基、或C4-C14杂芳基，除了氢之外，其中的每一个是取代或未取代的，并且两个R⁶任选地一起形成环；R⁷选自H、C1-C20烷基、C3-C20杂烷基、C6-C20芳基、C4-C20杂芳基、或C7-C20芳氧基烷基，除了氢之外，其中的每一个是取代或未取代的。

3.如权利要求1或2所述的图案形成方法，其中，所述含硅聚合物进一步包含作为聚合单元的一种或多种式(II)的单体：

其中：R⁸独立地选自H、F、OH、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C1-C6羟基-卤代烷基、C1-C6烷氧基、或C1-C6卤代烷氧基；R⁹独立地选自H或F；R¹⁰独立地选自H、F、CH₃、CF₃、CHF₂、或CH₂F；并且p是0至2的整数。

4.如权利要求1至3中任一项所述的图案形成方法，其中，所述含硅聚合物进一步包含作为聚合单元的式(III)的单体：

(R¹¹SiO_3/2) (III)

其中：R¹¹选自C1-C12烷基、C2-C6烯基、乙烯基，其中的每一个可以是取代或未取代的，

其中：每个R¹²独立地选自H、F、C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C1-C6卤代烷基、C1-C6羟基-卤代烷基、C1-C6卤代烷氧基；R¹³是C1-C5亚烷基；Z选自-S(O₂)R¹⁴，其中R¹⁴选自C1-C6烷基或C6-C15芳基；q是0或1；并且波浪线是式(III)中与Si原子的共价键。

5.如权利要求1至4中任一项所述的图案形成方法，其中，所述含硅聚合物包括一个或多个选自式(IV)、(V)、(VI)、或(VII)的基团：

其中：Rf独立地是部分或完全氟化的C1-C20烷基或部分或完全氟化的C6-C20芳基。