[发明专利]晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备

说明书

本发明提供一种晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备，该晶舟包括支撑架，支撑架具有多个间隔设置的放片位，晶舟还包括导气通道，导气通道具有至少一个进气口和多个出气口，进气口与气源连通，每个放片位至少对应一个出气口，出气口的出气方向朝向与之对应的放片位的中心区域。应用本发明可以提高wafer片内均匀性及晶舟的利用率。

技术领域

本发明涉及半导体工艺技术领域，具体地，涉及一种晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备。

背景技术

随着集成电路制造技术的不断进步，对特征尺寸的需求不断缩小，对集成电路制造领域的设备各项性能、工艺指标提出了更加严格的要求。其中，随着器件线宽尺寸的不断缩小，为了保证更好地产品一致性和良率，对成膜的结果尤其是均匀性提出了更高的要求。特别是立式炉设备单次同时处理大量产品晶片(如，直径12寸，晶片数100～125pcs)，在满足片内厚度均匀性的同时，需要同时保证纵向所有产品晶片(wafer)的片间厚度的均匀性，以满足同一批次处理产品的一致性。

现有技术中，通常将多个晶片间隔叠置于晶舟中，再将盛有晶片的晶舟放置在工艺腔室中进行工艺。但是，采用现有的晶舟和工艺腔室，经常出现wafer片内均匀性差的问题。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种晶舟、工艺腔室及半导体工艺设备，以提高wafer片内均匀性。

为实现本发明的目的，第一方面提供一种晶舟，包括支撑架，所述支撑架具有多个间隔设置的放片位，所述晶舟还包括导气通道，所述导气通道具有至少一个进气口和多个出气口，所述进气口与气源连通，每个所述放片位至少对应一个所述出气口，所述出气口的出气方向朝向与之对应的所述放片位的中心区域。

可选地，所述导气通道包括主导气道和与所述主导气道连通的多个支导气道，所述主导气道的入口用作所述导气通道的进气口；每个所述放片位至少对应一个所述支导气道，每个所述支导气道均包括至少一个所述出气口。

可选地，所述支导气道上的所述出气口的口径，沿远离所述主导气道的入口方向依次增大。

可选地，所述支撑架包括多个支撑件和用于连接相邻两个所述支撑件的连接件，多个所述支撑件间隔设置，每个所述支撑件具有多个沿所述支撑件的高度方向间隔设置的所述放片位。

可选地，还包括导气组件，所述导气组件包括主导气件和与所述主导气件连接的多个支导气件，所述主导气件内设置所述主导气道，每个所述支导气件内设置所述支导气道；

所述主导气件沿所述支撑件的高度方向设置，多个所述支导气件沿所述支撑件的高度方向间隔设置，且每个所述支导气件均沿所述放片位的周向设置。

可选地，每个所述支导气件均固定在所述支撑件上，且位于多个所述支撑件和所述连接件围合成的内部空间，用于承载所述晶片。

可选地，所述支导气件靠近所述放片位的中心的面为弧面，且在所述弧面上沿所述支导气件的周向间隔设置多个所述出气口。

为实现本发明的目的，第二方面提供一种工艺腔室，包括腔室主体和设置在所述腔室主体内的晶舟，所述晶舟为第一方面所述的晶舟。

可选地，所述晶舟的导气通道为两个，所述腔室主体的底部设有两个进气通道；

所述工艺腔室内还设有两个进气导管，两个所述进气导管分别与两个所述进气通道连通，并分别与两个所述导气通道的进气口连通。

可选地，还包括保温桶，所述保温桶设置在所述腔室主体内，并位于所述晶舟的下方，所述进气导管穿过所述保温桶与所述导气通道的所述进气口连通。

为实现本发明的目的，第三方面提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室，所述工艺腔室为第二方面所述的工艺腔室。

本发明具有以下有益效果：